个人猜. 上面 pxiel 是 sensor diode 感光存 上面 pixel 内电容 , 下面是 analog memory cell , 上面pixel 电压可"单独" 选 去存下面 “单独” 对应 memory cell . global shuttle 是一起感光, 但 读出 pixel -> analog memory 应该分开做 . 请问 COL1 2 个开关 2 电容 , 上面那 存 diode 感光电压 ? 那下面开关电容 ? Cmos sensor 这感光pixel 出电压会多小阿 ? mv ? 或是 uv ?? 现在 sensor pixel size 先前合晶 0.8um pixel , 但一般相机 pixel 多2.x um ,
这 pixel size 是 1x1u 跟 2.5x2.5um , 同曝光时间下感光电压会有差吗?
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