关于40nm工艺库不同电容品质因数的问题

Maons · 发表于 2024-8-13 16:33:35

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最近在优化射频电路中电容引入的损耗，对各种电容的容值、品质因数进行了仿真。

首先工艺库不带rf后缀的电容模型具有无穷大的Q和恒定容值。

其次，通过仿真发现CRTMOM-RF电容比CFMOM-RF电容具有更高的品质因数（下图），这一点我非常疑惑？从版图上看，CRTMOM并没有能减小无源损耗的机理，貌似只是电容端口的选择增加了。

有无朋友解释一下CRTMOM-RF的品质因数为什么高于CFMOM-RF，是工艺库的射频拟合曲线不准确还是？

图中电容值类似，C2采用两个CFMOM电容并联，C3采用CRTMOM。