功放测试静态电流有问题，求大佬

Azukinana

本人做的是CMOS功放，在测试直流工作点的时候遇到个问题：

在栅极电压很小时，漏极电流接近0，这个比较正常；
栅极电压增加到某个值时，漏极电流从几乎是0突变到80mA；
继续增加栅极电压，漏极电流增加得很少。基本上增加0.1V，电流只增加不到10mA。而在仿真里栅极电压增加0.1V，漏极电流增加40-50mA。
现在没有头绪，不知道是什么问题，请大家帮帮忙。

copper_hou

Vg增加时的Id突增，GI漏流会是一个问题点，需要验证GI是否发生了击穿。

Azukinana

copper_hou 发表于 2024-6-15 09:12
Vg增加时的Id突增，GI漏流会是一个问题点，需要验证GI是否发生了击穿。

不好意思，您说的GI漏流可以说得再具体一点吗？还有就是如何验证？

谢谢

copper_hou

Azukinana 发表于 2024-6-17 19:35
不好意思，您说的GI漏流可以说得再具体一点吗？还有就是如何验证？

谢谢

GI就是Gate Insulator，GI的击穿漏流是transistor电性失效的常见原因之一，可以测试transistor G-D、G-S之间的直流电阻看与正常值显著偏低，也可以用EMMI看漏流热点等分析手段。

Azukinana

copper_hou 发表于 2024-6-18 09:41
GI就是Gate Insulator，GI的击穿漏流是transistor电性失效的常见原因之一，可以测试transistor G-D、G-S ...

谢谢回复。我测了一下G-D、G-S的直流电阻，都是在兆欧的数量级，应该没什么问题吧（NMOS管）？但是不加电的情况下D-S间的阻值万用表正接和反接测出来分别是1.5K和5K左右，这个我不知道如何判断有没有问题。

copper_hou

Azukinana 发表于 2024-6-18 19:30
谢谢回复。我测了一下G-D、G-S的直流电阻，都是在兆欧的数量级，应该没什么问题吧（NMOS管）？但是不加电 ...

G-D、G-S直流电阻Mohm级已经是漏流了。回推前面的那个生产制程出问题了吧。

Azukinana

copper_hou 发表于 2024-6-19 12:48
G-D、G-S直流电阻Mohm级已经是漏流了。回推前面的那个生产制程出问题了吧。
...

您好，是这样的，我这个功放是两级放大电路。现在静态电流测的有问题的是第一级，第二级静态是正常的。然后两级的G-D、G-S直流电阻都差不多，所以我想直流电阻应该没有问题吧。