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[求助] cascode电流镜结构匹配

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发表于 2024-6-7 10:40:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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cascode电流镜结构做匹配,开关管和电流镜管子的数量都很多,电流镜(PMOS)管子的S,D没法共用,现在要做匹配,我想把开关管当DUMMY插进要匹配的MOS管中,达到OD连续且能减小STI效应,但是电路说,开关管数量多的时候,这样匹配效果很不好,我想问问,如果间距拉开的话,除了面积会增大还有别的影响吗,刻蚀会对匹配有影响吗,OD不连续
发表于 2024-6-7 16:35:53 | 显示全部楼层
dummy 不是加左右的吗
发表于 2024-6-11 11:00:50 | 显示全部楼层
不连续不影响,左右加dummy确保region内mos尺寸一样就没啥大问题
发表于 2024-6-11 11:26:57 | 显示全部楼层
电路他懂个屁,让他画个mos管的基础结构他都不会画。
cascode的管子对精度的要求是不高的,也就是你说的开关管,但是人家不是开关哈。
是可以把cascode的管子夹在电流镜管的中间的,为了能源漏共用。
电路他和你说cascode管多导致失配的原因是,以前的大工艺,没有sti(浅槽隔离)的,他们更在意,管子之间的距离,产生的失配。cascode管子多整体电流镜管子的面积会变大,最远的两个管子的距离会变大,匹配性就不好了。
但是现在的工艺一般都是有sti(浅槽隔离),你要么所有电流镜管都不共用源漏,要么都共用,不然由于浅槽隔离的槽的压力影响,和边缘的离子富集产生的影响,导致电流镜管子的失配,比因为面积变大,距离变远产生的失配会大得多。当然如果你们用的是以前的老工艺的情况的话,那确定你们电路说的是对的。
 楼主| 发表于 2024-6-11 13:14:52 | 显示全部楼层


熊韵 发表于 2024-6-11 11:26
电路他懂个屁,让他画个mos管的基础结构他都不会画。
cascode的管子对精度的要求是不高的,也就是你说的开 ...


哥,你说的对,我就是把开关管插进去,后仿一点问题没有。
发表于 2024-6-11 15:51:38 | 显示全部楼层


小白designer 发表于 2024-6-11 13:14
哥,你说的对,我就是把开关管插进去,后仿一点问题没有。


后仿数据只有金属的寄生电容寄生电阻的叭。没有引入由于版图绘制导致的失配的,所以后仿跑出来肯定是都没问题的。不过一般他们把corner角跑完的话,最差的情况都能满足功能的话,那其实我们画得再烂都不至于导致功能异常,可能不好的版图绘制方式就是影响性能而已。
发表于 2024-6-18 12:10:35 | 显示全部楼层
插眼
发表于 2024-7-22 22:06:00 | 显示全部楼层


熊韵 发表于 2024-6-11 11:26
电路他懂个屁,让他画个mos管的基础结构他都不会画。
cascode的管子对精度的要求是不高的,也就是你说的开 ...


学习了
发表于 2024-7-23 10:32:22 | 显示全部楼层
本帖最后由 GoingtoStudy 于 2024-7-23 10:47 编辑

共源共栅电流镜的核心管是core管的共源管1(n就是靠近地的,p就是靠近电的),有一本书里推荐的绘制方法是:core管居中,共栅管2放core管的两边,能合并的源漏进行合并,相当于共栅管作dummy,当然你也可以加额外的dummy。因为是电流镜,所以34后面也可以继续加56,可以D/56/34/12/56/34/D这样
这个绘制方法,电流镜版图按照poly方向画是一个纵向的长方形,左右出pin很方便

cascode 电流镜.jpg

发表于 2024-7-23 10:57:22 | 显示全部楼层


GoingtoStudy 发表于 2024-7-23 10:32
共源共栅电流镜的核心管是core管的共源管1(n就是靠近地的,p就是靠近电的),有一本书里推荐的绘制方法是 ...


请问您还记得是那本书么~
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