cascode电流镜结构匹配

bubushenghua · 发表于 2024-7-23 11:25:02

刻蚀，我看视频说是：对poly有影响。所以版图只要保证mos的L与width尽量保证，这两个值与工艺制造出来的值误差达到最小。而工艺厂给的MOS,poly都会凸出来一点，目的是在垂直方向上，poly的width误差小。而水平方向上，加dummy mos,它的length不需要很大。对OD来说，四角容易受工艺方面的影响。如果要求严格，对面积要求不大的情况下，在mos的周围都加dummy mos，宽度不需要很大。我看TSMC文档中就是那么画的。但是，我在公司，电路只要求在MOS的两边加dummy mos。对于OD是否连续的问题。我只遇到过，在华虹宏力95nm中，在接PAD的电路中，要求OD连续，否则一块OD加一个ring。OD是否连续对匹配电路的影响，还没有遇到过。

补充内容 (2025-2-23 20:02):
多晶硅在栅区的边沿外延长至少一个最小长度。目的是防止在不同的掩模版之间发生工艺漂移时，引起电路误差或者错误。