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楼主: WwwwwZ

[求助] 电流舵DAC的动态性能如何提升?

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发表于 2024-6-12 09:11:34 | 显示全部楼层


WwwwwZ 发表于 2024-6-11 15:20
不好意思,端午放假出去玩了。
刚刚按您说的测了一下,确实和您讲得一样,高低位开关信号有时存在开关不同 ...


首先你的数字部分译码延时可能需要控制一下,尽量同步,另外你的低交叉点电路和PMOS开关都要等比例增加,低交叉点电路有的有锁存功能,同步性会更好,至于调节上升下降波形就是修改P和N的上下拉能力,就是调尺寸
 楼主| 发表于 2024-6-14 17:00:28 | 显示全部楼层


343089509 发表于 2024-6-12 09:11
首先你的数字部分译码延时可能需要控制一下,尽量同步,另外你的低交叉点电路和PMOS开关都要等比例增加, ...


我现在把数字信号同步了,然后把同步后的数字信号输入低交叉点的latch,SFDR的变化好像不大。
请问您指的低交叉点电路和PMOS开关等比例增加是什么意思?(我PMOS开关的fingers是跟着电流等比例变化的)
发表于 2024-6-14 17:12:38 | 显示全部楼层


WwwwwZ 发表于 2024-6-14 17:00
我现在把数字信号同步了,然后把同步后的数字信号输入低交叉点的latch,SFDR的变化好像不大。
请问您指的 ...


用m吧 finger可能会有点影响,因为流过开关的电流是等比例增加的 比如1LSB电流流过的PMOS开关尺寸是W/L 那么2LSB对应的开关尺寸就是2w/l 而且因为开关面积增大,如果你的低交叉点驱动电路尺寸不增加的话那么你2LSB开关切换的速度肯定小于1LSB 这就会产生杂散 所以低交叉点驱动电路的尺寸也要调大
 楼主| 发表于 2024-6-19 11:56:40 | 显示全部楼层


343089509 发表于 2024-6-14 17:12
用m吧 finger可能会有点影响,因为流过开关的电流是等比例增加的 比如1LSB电流流过的PMOS开关尺寸是W/L  ...


我的低交叉点电路是D锁存器和反相器组成的,我把反相器的m按比例增大了,不过SFDR还是变化不大。
作业的ddl到了,我就直接交上去了。谢谢您指导!

 楼主| 发表于 2024-6-21 16:05:40 | 显示全部楼层


343089509 发表于 2024-6-14 17:12
用m吧 finger可能会有点影响,因为流过开关的电流是等比例增加的 比如1LSB电流流过的PMOS开关尺寸是W/L  ...


我昨晚发现把Spectrum里面的仿真时长修改一下就能得到很好地答案了,之前太粗心了没有好好检查。

谢谢老哥的指导,下面是最新的结果,看起来还可以,不过这只是前仿,未来还要努力。(电脑没有下载matlab就还是用cadence自带的来算性能了)

                               
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发表于 2024-6-26 16:33:40 | 显示全部楼层
不好意思想請問修改時長是甚麼意思呢
 楼主| 发表于 2024-6-28 20:16:19 | 显示全部楼层


ck1739 发表于 2024-6-26 16:33
不好意思想請問修改時長是甚麼意思呢


就是我Spectrum Assistant里面设置的开始时间和停止时间输入错误了。
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