请教下如何理解snapback现象？

jinjin0412

   

fei_SH 发表于 2024-4-29 08:57
以GGNMOS为例，在寄生NPN开启之前，是反偏二极管，是极高组态。 而NPN如果导通，是只有几个欧姆的低阻 ...

MOS从off到on，也是高阻变低阻，这个过程都是正电阻，不存在负阻效应，正电阻变小和负阻效应是两码事。

我的理解如下：
1）以GGNMOS的寄生NPN为例，当CB结达到BV+0.7V后，寄生NPN的VBE开始导通，NPN进入放大区；
2）随着电压的继续升高，Ie越来越大，即发射级发射出来的电子越来越多，其中一部分被基区电阻收走形成Ib，另外大部分被集电极收走形成Ic；
3）当Ic超过CB结雪崩击穿需要的维持电流时，由形成Ic的电子束代替CB的BV雪崩电流，冲击CB界面的电子空穴对维持雪崩电流。
4）由于Ic/Ie与beta相关，不随Vce的下降而下降，所以造成了一种现象，CB结不需要再维持BV，但仍然可以维持雪崩击穿效应，表现为负阻效应（个人认为trigger电流与holding电压之间是不存在真实的可以稳定停留的工作状态的，2点连成的一条线形成了电压越低，电流越大的现象，是一种等效负阻）。
那么为什么Vce<Vh后，会退出这种snapback效应呢？
可以理解为由于CB电场随着Vce的下降而下降，不足以加速发射级的电子到足够碰撞电离电子空穴对的能级了。

那么为什么PNP没有snapback的负阻特性？
因为PNP的多子是空穴，空穴的迁移率不到电子的一半，其速度过慢，无法使CB结的电子空穴对碰撞电离。