请教下如何理解snapback现象？

glgsppq · 发表于 2024-8-23 10:22:21

Xin421157560 发表于 2024-8-15 09:22
从原理的角度，本身是反偏NP结承担压降电场方向由N指向P，在电压达到一定程度后会在空间电荷区发生雪崩击穿 ...

合理

菜鸟0号 · 发表于 2025-2-7 11:25:58

很棒！受教了

yqiyuan · 发表于 3 天前

Xin421157560 发表于 2024-8-15 09:22
从原理的角度，本身是反偏NP结承担压降电场方向由N指向P，在电压达到一定程度后会在空间电荷区发生雪崩击穿 ...

这个有点不太理解，如果反偏PN结达到击穿电压后，漂移的少子会反而降低压降，那会不会又导致电压降低到击穿电压以下呢？还是说雪崩击穿是不可逆的，达到击穿电压后，电流会很大只需更小的电压就能维持呢？

yqiyuan · 发表于 3 天前

我觉得把这个曲线看成一个变化过程，现在有一个esd大电流进来了，我要做的就是把这个电流所含的能量释放到地去，加在ggnmos上的电流从0开始增大。一开始电流流过沟道NP结电压开始逐渐升高，但没击穿所以电流还是很低；随着电压增大到npn雪崩击穿导通时，此时存在Isub（雪崩击穿NP电流）和Igen（npn沟道电路）两个电流通路，且此时Isub结电流占主导（应该说此时是反偏NP结在工作而不是三极管npn在工作），该电流存在负阻特性（反向电流导致少子漂移，从而压降降低？），电压随电流增大而降低；当电压降低到一定值（也许是反向击穿电压？）时，反向NP电流Isub已经很小了，此时Igen占主导，相当于三极管正常导通工作，所以符合正常的三极管IV特性曲线，呈现正阻。最后因为随着电流升高（温度升高），三极管的负温特性vbeon会减小，导致流过的电流更大（对应第二次snapback吗？？那个是好是坏？），形成正反馈，最终导致热击穿不可恢复。

Xin421157560 · 发表于昨天 15:42

yqiyuan 发表于 2025-2-19 11:32
这个有点不太理解，如果反偏PN结达到击穿电压后，漂移的少子会反而降低压降，那会不会又导致电压降低到击 ...

会的，所以需要持续的雪崩击穿来开启NPN放电

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