请教下如何理解snapback现象？

dddogda

请教前辈们，为啥snapback时，器件两端电压随着电流的增大反而减小呢？一直不太能理解这个现象，网上是这么描写的：三极管导通，不需要太大的电压就能维持电流，所以呈现负阻状态。对于我来说，这个解释有点含糊其辞，能否有具体的推导或者更通俗易懂的解释呢？

fei_SH

    以GGNMOS为例，在寄生NPN开启之前，是反偏二极管，是极高组态。 而NPN如果导通，是只有几个欧姆的低阻态。从反偏二极管向NPN转换的一瞬间，极高阻变成低阻，这个过程就呈现出负阻特性，就是snapback。
    我在介绍ESD的时候，常常把ESD比喻成山洪，ESD器件比喻成水库。让人更容易理解。 水库中的水位代表电压，水流量代表电流。平常的时候水库的闸门都是关闭的，水流量很小，这就是结的漏电流。山洪来的时候，水位会迅速上升，就像是ESD来的时候，在IO端口电压快速升高。水位高到一定程度后，就要开闸放水。闸门打开的一瞬间，大流量的洪水就从闸门泄放出去了，同时水库水位就会下降，也就是电压钳位。开闸放水这个过程就叫snapback。水位下降的时候水流量变大，和电压下降电流变大是很类似的。

gratwo

你如果理解BJT的工作原理，就很容易明白snapback：
1）电压升高到一定程度，击穿反偏的pn结
2）击穿电流经过电阻产生压降，BJT进入工作.................于是呈现了snapback。

当然PMOS的snapback不明显，这跟空穴、pnp的放大系数有关系了。

Andyou

不知道这样理解可以不，相当于有一部分能量用来反向击穿了，所表现出来的就是电压突然下降很多。之前看到老分析说，ggnmos的多指结构开启不均匀也是这个道理。一般中间ggnmos先开启泄放，然后整体电压先掉一点，然后第二个管子，再泄放，以此类推，知道第一个管子达到热击穿之前，其它多指都应该再开启范围内，所以一般多指也不会很宽。

hootasp

mark一下，学习学习

sunlight_wj

mark，学到了一些，但不够通透

XPangZI

mark 学习学习

Xin421157560

从原理的角度，本身是反偏NP结承担压降电场方向由N指向P，在电压达到一定程度后会在空间电荷区发生雪崩击穿，产生的大量电子空穴对在空间电荷区的作用下电子漂移至N区，空穴漂移至P区，这将大大降低反偏PN结两端的压降，R=U/I，随着电流的增大电压降低,此时电阻呈现出负漂现象，也就是负阻状态

hxzjdbl

学习学习

Vawell

简单来讲就是随着pad电位升高，drain和bulk寄生pn junction的反偏电压不断抬高。抬高到一定程度发生反向击穿，电流流向衬底，抬高了ggnmos的bulk电位，使得横向pnp导通。从而实现了一个高阻到低阻的转换。