BCD工艺问题求助

Xuxans

大佬们好，有一个电源模块的芯片需要使用高压工艺来做，由于本人是新手菜鸟，这也是组里第一次使用BCD工艺，因此在选择工艺上困惑甚多。
目前初步选定TSMC .18，但是其中又有许多细分，比如：
High Voltage (1.8/3.3/32V)
High Voltage (1.8/5/32V)
High Voltage, BCD (Generation-2)
High Voltage, BCD (Generation-3)
目前通过一些渠道了解了一些Gen2和Gen3的基本区别，但是对于工艺选择还是有诸多不懂。
网上也搜索不到更加细致的资料，只好求助于大佬们，最好是有BCD Generation-3的工艺文件手册之类的。

andy2000a

1.   FAB 东西  有关process  找 PE 去问 FAB 内的

High Voltage (1.8/3.3/32V)
High Voltage (1.8/5/32V)
High Voltage, BCD (Generation-2)
High Voltage, BCD (Generation-3)

2.   BCD gernartion issue

一般会Gen1 -> Gen2 -> Gen3  多数就ldmos rds_on 后面有要更低 rds_on , 或 BV  耐压更高 或"新组件".   一般来说 FAB  多数 BCD 的 ldmos 都 5v 去开发出 ,vgs=5v  Vds 看拉多开多大   ,  但 , 有些 BCD 会 不同 oxide 能使用  hv gate  hv mos  .   by the way .  不同gen  彼此不通 .  某些 Fab像tsmc  还又 同一套gen 内其 ldmos "分 group" .  因特性不同  , 有些人需要hi-side ldnmos  那 可能又是 不同  .

3.   不过High Voltage (1.8/3.3/32V)  , HighVoltage (1.8/5/32V)  ,   应该 低压  LV=1.8v,  mv分 3.3/ 5v   有 2种 不同体系  ,  毕竟现在 SOC 很多digital 要先进一点.  用 1.8v std_cell 肯定会小   .   hv=32v 应该这套ldmos 最多到32v   , 有些HV  process 还有 OD (overdriver) device .  

Xuxans

自己顶一下

Xuxans

顶一下，希望有大佬能解答

wang1240673387

工艺设计手册，如果是你们是做设计的，一般都可以看到，PDK里面都有的

xingdeming02

第一步，根据电路设计，定出device_list
第二步，匹配device_list的前题下，对比可用工艺的器件参数和Mask数
第三步，综合评估器件参数，Mask数量，版图尺寸等，做出最优选择。

Kingdoms_Guo

andy2000a 发表于 2024-4-15 08:52
1.   FAB 东西  有关process  找 PE 去问 FAB 内的  High Voltage (1.8/3.3/32V)
High Voltage (1.8/5/32V) ...

路过，学习。

stevenzhang2020

请问一下，Gen3和Gen2的工艺区别是什么呢？能大概提一下吗

Xuxans

stevenzhang2020 发表于 2024-10-18 11:24
请问一下，Gen3和Gen2的工艺区别是什么呢？能大概提一下吗

GEN2的功率管最高压70V，GEN3的45V；
GEN3的功率管rds比GEN2更小；
GEN3价格更便宜；
GEN3台积电目前没有标准ESD IO；

stevenzhang2020

Xuxans 发表于 2024-10-20 16:06
GEN2的功率管最高压70V，GEN3的45V；
GEN3的功率管rds比GEN2更小；
GEN3价格更便宜；

GEN3为什么价格便宜呢，是因为少用了几次mask吗？我对比了一下GEN2和GEN3的结构，他们Drain的位置也不一样，请问这个可能是出于什么考虑？降本吗？