BCD工艺问题求助

peterlin2010

stevenzhang2020 发表于 2024-10-28 17:56
GEN3为什么价格便宜呢，是因为少用了几次mask吗？我对比了一下GEN2和GEN3的结构，他们Drain的位置也不一 ...

FAB 会因大客户 要求特别调低 rdson 少几道 mask , 有些 umc 类 还有parastic ldmos 类 可少 mask 降低 cost .

Gen2 gen3 不能同时用

多数 bcd ldmos 都 vgs=5v .

但也有 vgs =1.8v 少见

也有某些 umc Fab 也 vg=18 vds=18v 高压类 , 需多 mask

Driver ic 用 正负压 , 某些bcd 需特别小心负压设计

stevenzhang2020

peterlin2010 发表于 2024-10-29 06:48
FAB 会因大客户 要求特别调低 rdson 少几道 mask , 有些 umc 类 还有parastic ldmos 类 可少 mask 降低  ...

谢谢您的答复，损失了几道MASK，从而获得更低的Cost，那相比于GEN2，这对器件性能的影响是什么呢？会让高压器件的某些性能变差吗？

stevenzhang2020

peterlin2010 发表于 2024-10-29 06:48
FAB 会因大客户 要求特别调低 rdson 少几道 mask , 有些 umc 类 还有parastic ldmos 类 可少 mask 降低  ...

谢谢您的答复，损失了几道MASK，从而获得更低的Cost，那相比于GEN2，这对器件性能的影响是什么呢？会让高压器件的某些性能变差吗？

peterlin2010

stevenzhang2020 发表于 2024-10-29 14:15
谢谢您的答复，损失了几道MASK，从而获得更低的Cost，那相比于GEN2，这对器件性能的影响是什么呢？会让高 ...

损失了几道MASK，从而获得更低的Cost，那相比于GEN2，这对器件性能的影响是什么呢？会让高压器件的某些性能变差吗
I never use this process .

but some tsmc BCD have gen1 gen2


umc bcd 0.18um have g1 g3 ..

这对器件性能的影响是什么呢？会让高压器件的某些性能变差
=> maybe

pathbreaker510

andy2000a 发表于 2024-4-12 17:12
1.   FAB 东西  有关process  找 PE 去问 FAB 内的  High Voltage (1.8/3.3/32V)
High Voltage (1.8/5/32V) ...

请问一下对于gen2中的一个管子，NLD12G5 fully iso HP(GA) device，在保证Vds=12V的情况下，drain接24V会报warning：cd_sub:Vc(= 24 V)has exceeded bv max(= 13.2 V)，从design manual里这一器件的剖面图里我们可以得知，从drain到sub有两个反向的二极管，iso端接的也是24V