[求助] ESD

潇之南北 · 发表于 2024-3-12 17:24:06

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有没有ESD专家解答一下，如果ESD里同时使用了GGNMOS和DIO两种结构（并联关系），在HBM的时候，哪一种结构先导通？

zxkl317408 · 发表于 2024-3-13 15:39:05

两个机理不一样

潇之南北 · 发表于 2024-3-19 10:41:06

zxkl317408 发表于 2024-3-13 15:39
两个机理不一样

对的，机理不一样，现在就是想搞明白，哪个会先工作。

esbwong · 发表于 2024-3-19 12:09:11

GGNMOS Vt1 > DIO BV => GGNMOS
GGNMOS Vt1 < DIO BV => DIO

潇之南北 · 发表于 2024-3-20 09:35:56

esbwong 发表于 2024-3-19 12:09
GGNMOS Vt1 > DIO BV => GGNMOS
GGNMOS Vt1 < DIO BV => DIO

不同工艺有可能不一样吗？

esbwong · 发表于 2024-3-20 16:11:56

潇之南北发表于 2024-3-20 09:35
不同工艺有可能不一样吗？

不同工艺 Vt1/BV 不一样silicon data

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