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[求助] GPIO共漏输出的N管漏端和输出端接了个小电阻的作用是啥?

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发表于 2023-12-7 13:42:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想问一下有大神知道图中R1的作用是啥,规格书上写了低电平输出电流是在3.2-40mA的,且低电平电压不超过0.5V,这个R1严重限制了低电平的驱动能力,不知道能不能删掉。。。
8413c8d99645a5d815c57c422495c4d.jpg
发表于 2023-12-7 15:35:45 | 显示全部楼层
ESD 需求的话 100Ohm 也还行
 楼主| 发表于 2023-12-8 10:02:10 | 显示全部楼层


spartan313 发表于 2023-12-7 15:35
ESD 需求的话 100Ohm 也还行


没大明白,这个电阻跟ESD有啥关系啊。
发表于 2023-12-8 10:14:30 | 显示全部楼层
计算下管击穿时候的电流,然后乘以这个防ESD的电阻阻值,就会在电阻上产生这么大的压降,对应的下面NMOS电压就小了,电流也有电阻可以限住,ESD走其他路径(ESD器件释放),就不会烧了。
发表于 2023-12-8 11:10:47 | 显示全部楼层
R1 -> N MOS 每一 drain 加小电阻是用来平衡下管击穿时ESD current flow
 楼主| 发表于 2023-12-8 15:25:57 | 显示全部楼层


kevin531904 发表于 2023-12-8 10:14
计算下管击穿时候的电流,然后乘以这个防ESD的电阻阻值,就会在电阻上产生这么大的压降,对应的下面NMOS电 ...


谢谢哥,我还想问一下如果说规定了这个IOL也就是低电平输出电流要驱动40mA,那么我这个电阻最起码要改成10欧姆以下,这个值科学吗
 楼主| 发表于 2023-12-8 15:26:54 | 显示全部楼层


esbwong 发表于 2023-12-8 11:10
R1 -> N MOS 每一 drain 加小电阻是用来平衡下管击穿时ESD current flow


谢谢,我再去阅读下ESD知识。。。
发表于 2023-12-9 14:01:54 | 显示全部楼层
本帖最后由 kevin531904 于 2023-12-9 14:07 编辑


newlayout 发表于 2023-12-8 15:25
谢谢哥,我还想问一下如果说规定了这个IOL也就是低电平输出电流要驱动40mA,那么我这个电阻最起码要改成1 ...


考虑把下管NMOS做大,同时做成总线<N:0>(N整数)的形式,电阻也是对应总线形式,这样每一个单独的 NMOS上串联的电阻可以放大。总的来说做大NMOS拿面积去换,同时尽量让ESD能量先走ESD泄放,不要走这泄放(比如在旁边并联GGNMOS做ESD的泄放通路,通常GPIO这种串了电阻做驱动能力的旁边会放GGNMOS(或者放了大片的NMOS但是GATE是被逻辑拉低了的)去泄放ESD能量)。
 楼主| 发表于 2023-12-11 09:08:48 | 显示全部楼层


kevin531904 发表于 2023-12-9 14:01
考虑把下管NMOS做大,同时做成总线(N整数)的形式,电阻也是对应总线形式,这样每一个单独的 NMOS上串联 ...


好的好的 ,真心谢谢,旁边确实是有GGNMOS做ESD的,强
发表于 2023-12-11 09:38:40 | 显示全部楼层


newlayout 发表于 2023-12-8 10:02
没大明白,这个电阻跟ESD有啥关系啊。


借用四楼


计算下管击穿时候的电流,然后乘以这个防ESD的电阻阻值,就会在电阻上产生这么大的压降,对应的下面NMOS电压就小了,电流也有电阻可以限住,ESD走其他路径(ESD器件释放),就不会烧了。


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