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查看: 2287|回复: 6

[求助] BCD种的NBL 隔离和latch up

发表于 2023-11-20 17:50:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

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小白最近在做bcd的相关工艺，对NBL这个层的理解可能偏了，想请教下各位大佬

我理解的：一般的isoring 会有NBL这层我觉得NBL是用来解决高低压之间的latchup的，为什么在ESD使用上尽管放了ISO环，而且NBL之间空了足够的距离，和pad接的PMOS/NMOS还要空很大的距离，比如和pad连的Pmos/Nmos的diff要空10u 但是放了iso 还是10u 这样iso环不是没什么用了吗，非常不理解

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发表于 2023-11-30 17:39:34 | 显示全部楼层

同问

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发表于 2024-6-19 14:56:35 | 显示全部楼层

不太清楚楼主的描述，能画个剖面图看看吗

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楼主| 发表于 2024-6-20 15:39:59 | 显示全部楼层

Yates 发表于 2024-6-19 14:56
不太清楚楼主的描述，能画个剖面图看看吗

这里的pmos和nmos的drain端都接pad smic90bcd工艺分别对pmos和nmos包iso环 iso环里有nbl 问题是无论加不加iso ，这里的pmos和nmos的latchup rule 都不变

无标题.png

微信图片_20240620153930.png

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发表于 2024-6-21 17:11:24 | 显示全部楼层

Andyou 发表于 2024-6-20 15:39
这里的pmos和nmos的drain端都接pad smic90bcd工艺分别对pmos和nmos包iso环 iso环里有nbl 问题是无论 ...

原PDIFF to NDIFF的距离并没有变，Latchup一样会报；引入NBL后，也要看NBL接的什么电位？

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发表于 2024-6-21 17:12:55 | 显示全部楼层

Yates 发表于 2024-6-21 17:11
原PDIFF to NDIFF的距离并没有变，Latchup一样会报；引入NBL后，也要看NBL接的什么电位？ ...

NISO接的不对会增加Latchup风险，接对了可能会改善Latchup风险；

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楼主| 发表于 2024-6-24 09:06:34 | 显示全部楼层

Yates 发表于 2024-6-21 17:11
原PDIFF to NDIFF的距离并没有变，Latchup一样会报；引入NBL后，也要看NBL接的什么电位？ ...

这里的nbl接的是高电位

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