GGNMOS中衬底电阻和Vt1、Vt2、Vh的关系解惑

陌上苏沫 · 发表于 2023-11-16 20:42:10

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只改变Rb，其中Rb3>Rb2>Rb1,且Rb3非常大，Rb1≈0
如果等效过来GGNMOS的寄生NPN的话，图中曲线不是说明：
①Rb（等效为衬底电阻）越大，一次击穿电压Vt1越小
②Rb越大，维持电压Vh越小
③Rb越大，二次击穿电压Vt2越小

有点不太理解，其中Vt1随Rb增大而减小能理解，但是维持电压Vh和二次击穿电压Vt2也都随着Rb增大而减小是为啥呀？
求懂行的大佬给小弟分析一波

图看评论区！！！！

陌上苏沫 · 发表于 2023-11-16 20:43:43

本帖最后由陌上苏沫于 2023-11-16 20:44 编辑

mars0904 · 发表于 2023-11-16 21:32:16

可以简单的理解成，电阻越大，就越限流

陌上苏沫 · 发表于 2023-11-17 15:10:42

mars0904 发表于 2023-11-16 21:32
可以简单的理解成，电阻越大，就越限流

没太理解

Vh=IR，现在R变大了，那按图中的Ih应该是没有太大改变的，这样的话Vh不是应该增大吗？
再者按你说的电阻越大，就越限流，那也是Ih有减小呀，可是按照这个逻辑我还是没太理解为啥Vh会变小，是我理解的方向有问题吗

求大佬救我

zhangyp · 发表于 2023-11-23 10:42:19

陌上苏沫发表于 2023-11-16 20:43

请问此图下面的那张图最左和最右的曲线对应的是什么情况？一个是Rb=0最右边的曲线？一个是Rb=无穷大么？还有请问有些ESD管子的gate接里面的电路做输出用的这种是不是相同与Rb=无穷大

Wzx_imos · 发表于 2023-11-24 16:27:52

我来说一下我的一点愚见。你不能理解的是为什么它的维持电压降低了，接下来我说明一下为什么它的维持电压降低了。GGNMOS的维持电压由两部分组成，集电结的反偏电压加上阱电阻上的压降。你看图得出的分析是Ih基本不变，R变大了，然后阱电阻上的压降确实提高了，但是你忘了分析反偏结的压降了，如果结论是Vh降低了，显然反偏结上的压降是降低了的，至于为什么，我还不是很清楚原理。另外朋友你这个插图是那本上的呢？可以告诉我吗，我很希望看一看。

hijackerhaha · 发表于 2023-11-26 10:38:50

我们也想知道这本书叫什么名字，一起看看

hijackerhaha · 发表于 2023-11-26 10:40:34

陌上苏沫发表于 2023-11-16 20:43

请问这图是从本书上摘取的？

陌上苏沫 · 发表于 2023-11-30 09:25:40

Wzx_imos 发表于 2023-11-24 16:27
我来说一下我的一点愚见。你不能理解的是为什么它的维持电压降低了，接下来我说明一下为什么它的维持电压降 ...

该图是《CMOS》集成电路闩锁效应温德通著 —— 书中P14上的

陌上苏沫 · 发表于 2023-11-30 09:26:28

hijackerhaha 发表于 2023-11-26 10:40
请问这图是从本书上摘取的？

该图是《CMOS》集成电路闩锁效应温德通著 —— 书中P14上的

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