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[求助] 超级难做的LDO,请求高手帮忙理解一下。

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发表于 2023-11-6 18:00:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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问题是这样的,普通的LDO直接就是对输出Vout,用反馈电阻进行分压,产生负反馈,使其稳定在需要的值。
目前我使用的结构不太一样,这个电路有三个通路,分别要实现sinking和sourcing的大电流,以及空载,同时此LDO要求任意负载电容。
目前做了一个版本出来,发现电路的波形中出现了共轭极点,且出现在了GBW附近,导致电路系统极不稳定!求大神帮忙理解,谢谢!
补充:EA是一个gain-boost 的单级运放。
发表于 2023-11-6 21:17:24 | 显示全部楼层
本质上就是M1和MPSS/MNSS组成FVF和Super Source follower,中间那一坨只为产生一个bias电压?
 楼主| 发表于 2023-11-7 09:10:00 | 显示全部楼层


dtt0000 发表于 2023-11-6 21:17
本质上就是M1和MPSS/MNSS组成FVF和Super Source follower,中间那一坨只为产生一个bias电压? ...


中间的运放Vn是由一个二极管偏压决定的。中间的电流是由另一部分的偏置构成的,文献说是为了追踪温度对mos管以及电阻带来的工艺变化。
发表于 2023-11-7 09:11:29 | 显示全部楼层
有原文献发出来看看吗,光看个图看不出来你的问题在哪里呀
 楼主| 发表于 2023-11-7 09:25:59 | 显示全部楼层


xdy609841687 发表于 2023-11-7 09:11
有原文献发出来看看吗,光看个图看不出来你的问题在哪里呀


第一个文献为这个结构的专利,但是说的不是很清楚,第二个文献中间关于OPA的部分,对于这个结构也只是说了一下是单极点系统。我个人写了一个问题问题分析文档,如果你方便的话,我想发您看看,还请大神指点1.2.

Class-AB.pdf

119.62 KB, 下载次数: 126 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

A_CMOS_bandgap_voltage_reference_with_absolute_value_and_temperature_drift_trims.pdf

395.17 KB, 下载次数: 110 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2023-11-7 09:49:49 | 显示全部楼层


bulevivin 发表于 2023-11-7 09:25
第一个文献为这个结构的专利,但是说的不是很清楚,第二个文献中间关于OPA的部分,对于这个结构也只是说 ...


不不不,我水平指点不了大佬你,粗略看了下专利,其大致就是个fvf结构,最近也在做fvf,fvf的环路增益和极点都比较固定,如果你想要全负载范围内稳定应该是要补偿的,而且它主要作为capless使用,你想要它任意负载电容都稳定的capfree要怎么实现呢,毕竟当你考虑轻载和重载和10p与1u的负载电容后,输出极点可能会上下偏10M,这时候想要稳定那就要求内部极点推到这之外,应该挺难实现的吧。
发表于 2023-11-7 09:58:36 | 显示全部楼层
ssf+fvf 的结构,  EA的电源直接由vout给吗  
 楼主| 发表于 2023-11-7 10:29:16 | 显示全部楼层


xdy609841687 发表于 2023-11-7 09:49
不不不,我水平指点不了大佬你,粗略看了下专利,其大致就是个fvf结构,最近也在做fvf,fvf的环路增益和 ...


是的,这个相当于是三条通路,空载,sourcing以及sinking都要满足任意负载,这个EA处的主极点还是由gain-boost的输出电阻组成的,这个gain-boost的增益可以到达120dB,其实此gain-Boost的带宽已经处在低频处了,很难推到高频处。所以说这个LDO难做。
 楼主| 发表于 2023-11-7 10:30:41 | 显示全部楼层


BraveTiger 发表于 2023-11-7 09:58
ssf+fvf 的结构,  EA的电源直接由vout给吗


SSF是指sinking通路,FVF是指sourcing通路嘛,我这个Vout是直接反馈给了EA。
发表于 2023-11-7 10:52:16 | 显示全部楼层


bulevivin 发表于 2023-11-7 10:30
SSF是指sinking通路,FVF是指sourcing通路嘛,我这个Vout是直接反馈给了EA。


不是,你这个上拉通路和下拉通路是你的输出级push-pull结构,总体是为了提升瞬态响应  电容范围具体是多少啊  主极点应该在内部吧
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