超级难做的LDO，请求高手帮忙理解一下。

xdy609841687 · 发表于 2023-11-7 10:58:08

BraveTiger 发表于 2023-11-7 10:52
不是，你这个上拉通路和下拉通路是你的输出级push-pull结构，总体是为了提升瞬态响应电容范围具体是多 ...

作为一个fvf，如果您主极点放内部，当空载且负载电容是大电容的时候两个低频极点GBW得多低呀，那完全没有必要选择fvf结构吧，理想状态下还是得把内部节点的极点推到高频，把主极点放输出

bulevivin · 发表于 2023-11-7 11:07:58

BraveTiger 发表于 2023-11-7 10:52
不是，你这个上拉通路和下拉通路是你的输出级push-pull结构，总体是为了提升瞬态响应电容范围具体是多 ...

电容负载范围要求是任意负载电容，我这边想给他做到10uF以上，目前做的版本，主极点在我的EA的输出端，再想请教一下，我一直以为是两条通路对应两个结构，那您说的SSF加FVF是指什么呢。

nanke · 发表于 2023-11-7 11:29:13

学习一下，不理解，为什么要提这种需求，也没看懂电路。sinking和sourcing都有大电流，那应该片外接大电容，怎么会任意负载电容。而且为什么EA需要120dB这么高增益，是有其它需求？

BraveTiger · 发表于 2023-11-7 11:29:43

bulevivin 发表于 2023-11-7 11:07
电容负载范围要求是任意负载电容，我这边想给他做到10uF以上，目前做的版本，主极点在我的EA的输出端，再 ...

不要客气，我就是看到了想和你探讨学习一下而已。
一咋看和我之前看到的结构相似1-1，但不是一样的，中间那个M2 M5是不是也可以看成电流源，然后中间那个结构是电平移位的作用，给MPss提供控制信号。
你的输出是再接回vfb的吧？

bulevivin · 发表于 2023-11-7 13:17:09

nanke 发表于 2023-11-7 11:29
学习一下，不理解，为什么要提这种需求，也没看懂电路。sinking和sourcing都有大电流，那应该片外接大电容 ...

sinking 与sourcing 需要能够输出10mA的电流，并且能在任意负载电容下稳定，EA是用了gain-boost，一个单极点op，做这么高是因为要实现10ppm/mA以内的负载调整率，且实现万分之一的精度，如果要在PVT下把这些条件都满足，EA的开环开环增益至少得100dB以上。

bulevivin · 发表于 2023-11-7 13:20:53

BraveTiger 发表于 2023-11-7 11:29
不要客气，我就是看到了想和你探讨学习一下而已。
一咋看和我之前看到的结构相似1-1，但不是一样的，中间 ...

是的M2，M5可以看作是电流源，中间的那部分确实是电位平移，M4相当于是一个开关，控制MPSS大电流时导通的。输出接反馈电阻，接回EA的VN端。

wandola · 发表于 2023-11-7 15:43:42

这个输出电压是怎么计算的？

bulevivin · 发表于 2023-11-7 16:03:31

wandola 发表于 2023-11-7 15:43
这个输出电压是怎么计算的？

Vout=（1+R1/R2）VREF 在这里被我省略了，vref=VP=1.2V

bulevivin · 发表于 2023-11-8 17:40:50

自己顶顶

dhxic · 发表于 2024-7-11 17:36:40

BraveTiger 发表于 2023-11-7 11:29
不要客气，我就是看到了想和你探讨学习一下而已。
一咋看和我之前看到的结构相似1-1，但不是一样的，中间 ...

你好，请问1-1这个图的文献有没有，能发一下文献名吗

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