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楼主: bulevivin

[求助] 超级难做的LDO,请求高手帮忙理解一下。

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发表于 2023-11-7 10:58:08 | 显示全部楼层


BraveTiger 发表于 2023-11-7 10:52
不是,你这个上拉通路和下拉通路是你的输出级push-pull结构,总体是为了提升瞬态响应  电容范围具体是多 ...


作为一个fvf,如果您主极点放内部,当空载且负载电容是大电容的时候两个低频极点GBW得多低呀,那完全没有必要选择fvf结构吧,理想状态下还是得把内部节点的极点推到高频,把主极点放输出
 楼主| 发表于 2023-11-7 11:07:58 | 显示全部楼层


BraveTiger 发表于 2023-11-7 10:52
不是,你这个上拉通路和下拉通路是你的输出级push-pull结构,总体是为了提升瞬态响应  电容范围具体是多 ...


电容负载范围要求是任意负载电容,我这边想给他做到10uF以上,目前做的版本,主极点在我的EA的输出端,再想请教一下,我一直以为是两条通路对应两个结构,那您说的SSF加FVF是指什么呢。
发表于 2023-11-7 11:29:13 | 显示全部楼层
学习一下,不理解,为什么要提这种需求,也没看懂电路。sinking和sourcing都有大电流,那应该片外接大电容,怎么会任意负载电容。而且为什么EA需要120dB这么高增益,是有其它需求?
发表于 2023-11-7 11:29:43 | 显示全部楼层


bulevivin 发表于 2023-11-7 11:07
电容负载范围要求是任意负载电容,我这边想给他做到10uF以上,目前做的版本,主极点在我的EA的输出端,再 ...


不要客气,我就是看到了想和你探讨学习一下而已。
一咋看和我之前看到的结构相似1-1,但不是一样的,中间那个M2 M5是不是也可以看成电流源,然后中间那个结构是电平移位的作用,给MPss提供控制信号。
你的输出是再接回vfb的吧?
1-1.jpg
1-2.jpg
 楼主| 发表于 2023-11-7 13:17:09 | 显示全部楼层


nanke 发表于 2023-11-7 11:29
学习一下,不理解,为什么要提这种需求,也没看懂电路。sinking和sourcing都有大电流,那应该片外接大电容 ...


sinking 与sourcing 需要能够输出10mA的电流,并且能在任意负载电容下稳定,EA是用了gain-boost,一个单极点op,做这么高是因为要实现10ppm/mA以内的负载调整率,且实现万分之一的精度,如果要在PVT下把这些条件都满足,EA的开环开环增益至少得100dB以上。
 楼主| 发表于 2023-11-7 13:20:53 | 显示全部楼层


BraveTiger 发表于 2023-11-7 11:29
不要客气,我就是看到了想和你探讨学习一下而已。
一咋看和我之前看到的结构相似1-1,但不是一样的,中间 ...


是的M2,M5可以看作是电流源,中间的那部分确实是电位平移,M4相当于是一个开关,控制MPSS大电流时导通的。输出接反馈电阻,接回EA的VN端。
发表于 2023-11-7 15:43:42 | 显示全部楼层
这个输出电压是怎么计算的?
 楼主| 发表于 2023-11-7 16:03:31 | 显示全部楼层


wandola 发表于 2023-11-7 15:43
这个输出电压是怎么计算的?


Vout=(1+R1/R2)VREF 在这里被我省略了,vref=VP=1.2V
 楼主| 发表于 2023-11-8 17:40:50 | 显示全部楼层
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