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查看: 2380|回复: 8

[求助] 串联mos管的等效gm

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发表于 2023-10-7 10:07:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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像这种多个管子串联的mos等效gm怎么考虑?
发表于 2023-10-7 11:05:56 | 显示全部楼层
串联相当于管子的L相加,并联相当于管子的W相加
 楼主| 发表于 2023-10-7 13:44:45 | 显示全部楼层


勿忘心安 发表于 2023-10-7 11:05
串联相当于管子的L相加,并联相当于管子的W相加


w/l只是管子的参数,dc仿真时没办法直接看到gm。
发表于 2023-10-7 15:26:50 | 显示全部楼层
self-cascode结构嘛,等效gm应该就等于共源管的gm,cascode结构增大的也是gain而不是gm嘛
 楼主| 发表于 2023-10-7 16:28:32 | 显示全部楼层


Twonej 发表于 2023-10-7 15:26
self-cascode结构嘛,等效gm应该就等于共源管的gm,cascode结构增大的也是gain而不是gm嘛 ...


说的对哦,感谢大佬答疑
发表于 2023-10-7 16:40:30 | 显示全部楼层
等效的n*L管子和最下面的那个管子id和VGS都是一致的,从gm定义来说是完全一样的;不同的是VDS和工作区的判定吧,最下面的管子到不了饱和区,而等效的管子是可以的。
发表于 2023-10-8 10:40:02 | 显示全部楼层
我是这样计算的:
最上面那个饱和区的nmos跨导记为gm,下面所有管子的ron 记为Rs;利用源极退化Gm公式
Gm=gm1/(1+gm*Rs)
ps:Rs可以通过V/I快速得到
我对比过合成一个管子的情况,计算结果是正确的。

best wishes!
 楼主| 发表于 2023-10-9 11:47:11 | 显示全部楼层


Li_12 发表于 2023-10-7 16:40
等效的n*L管子和最下面的那个管子id和VGS都是一致的,从gm定义来说是完全一样的;不同的是VDS和工作区的判 ...


感谢指点,和4楼的方法一样,应该是正解
发表于 2024-3-28 15:41:16 | 显示全部楼层
学习了!
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