串联mos管的等效gm

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学习

啦啦啦种太阳

hebut_wolf 发表于 2023-10-8 10:40
我是这样计算的：
最上面那个饱和区的nmos跨导记为gm，下面所有管子的ron 记为Rs；利用源极退化Gm公式
Gm=g ...

大佬，请问这种结构，如何考虑整体管子的vod，vth这些特性呢？

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啦啦啦种太阳

hebut_wolf 发表于 2023-10-8 10:40
我是这样计算的：
最上面那个饱和区的nmos跨导记为gm，下面所有管子的ron 记为Rs；利用源极退化Gm公式
Gm=g ...

刚刚理解了一下，最上面的管子进入饱和区就相当于等效mos进入了饱和区。


Vdsat_eq = vdsat_m2 + Id *rds？rds是下面一堆管子的阻抗。

不知道这样看对不对，