串联mos管的等效gm

c535662957 · 发表于 2025-7-10 11:14:58

学习

啦啦啦种太阳 · 发表于 2025-7-10 13:58:03

hebut_wolf 发表于 2023-10-8 10:40
我是这样计算的：
最上面那个饱和区的nmos跨导记为gm，下面所有管子的ron 记为Rs；利用源极退化Gm公式
Gm=g ...

大佬，请问这种结构，如何考虑整体管子的vod，vth这些特性呢？

感谢回复

啦啦啦种太阳 · 发表于 2025-7-10 14:37:27

hebut_wolf 发表于 2023-10-8 10:40
我是这样计算的：
最上面那个饱和区的nmos跨导记为gm，下面所有管子的ron 记为Rs；利用源极退化Gm公式
Gm=g ...

刚刚理解了一下，最上面的管子进入饱和区就相当于等效mos进入了饱和区。

Vdsat_eq = vdsat_m2 + Id *rds？rds是下面一堆管子的阻抗。

不知道这样看对不对，

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