GGNMOS SAB讨论分析

zhangyp · 发表于 2023-9-15 07:17:34

大佬们，能帮忙分析一下我这个ESD么，我这个功率管NMOS，最近也发生了很多击穿的事故，击穿后电流很大，漏电可达几十mA，我做的功率管是一个矩阵式的，是10*12个的一个矩阵，做解剖分析后发现都是发生在最中间的两个管子且靠近GND端失效，我这个做的管子和楼主的一样，但我只拉开了D和G端，但没有加SAB层，因我是功率管，不希望有过大的电阻，否则会影响我的功率管的发射功率；但现在发现ESD有严重的问题，且失效都发生在G-S这边，因为这边阻抗小吧，我解剖后看到管子靠近GND这边的孔都要熔化了，所以我可能需要加上这层了（改一层MASK），请问各位加上SAB这层能变好多少？对输出功率不会有太大的影响吧？

农民赵 · 发表于 2023-9-15 10:03:25

zhangyp 发表于 2023-9-15 07:17
大佬们，能帮忙分析一下我这个ESD么，我这个功率管NMOS，最近也发生了很多击穿的事故，击穿后电流很大，漏 ...

你这个功率管是输出IO是吧，这个功率管没有单独的ESD保护电路吗？

zhangyp · 发表于 2023-9-15 21:41:35

功率管外接的是一个output端口，现在实测这个ESD耐压HBM方式竟然不到250V，太可怕了，我想应该是这个功率管没有在ESD到来的时候，没有同时打开，只是打开一两个，所以特别容易损坏，我想必须要加SAB层了，奇怪啊，问题竟然仅出现在Source这边，输出口的Drain这边看起来没事；这个是什么情况呢？

zhangyp · 发表于 2023-9-18 20:19:29

农民赵发表于 2023-9-15 10:03
你这个功率管是输出IO是吧，这个功率管没有单独的ESD保护电路吗？

我这个端口是opendrain端口，不过我在功率管外面靠近PAD边上，还放了一颗反向diode，但是实测diode没有烧坏，仅烧坏了功率管的中间2条；

max_max · 发表于 2023-9-20 18:46:35

Esd触发在drain端，相对藕合到栅极而触发沟道中的载流子相当于低阻通道

zhangyp · 发表于 2023-9-20 20:37:51

请大家看看我的ESD打坏了的图片，我挑了2张较清晰的图片

zhangyp · 发表于 2023-9-20 20:45:48

在看一张更加清晰的照片，这个可是花了大价钱做的，希望对大家后面的设计有帮助，千万别犯我这个大意的毛病了！

catherine_xxp · 发表于 2023-10-7 15:42:53

zhangyp 发表于 2023-9-20 20:45
在看一张更加清晰的照片，这个可是花了大价钱做的，希望对大家后面的设计有帮助，千万别犯我这个大意的毛病 ...

这图是怎么拍出来的？

wfcawy · 发表于 2023-10-12 10:49:20

zhangyp 发表于 2023-9-15 07:17
大佬们，能帮忙分析一下我这个ESD么，我这个功率管NMOS，最近也发生了很多击穿的事故，击穿后电流很大，漏 ...

你用的这个功率管NMOS 的B端是不是没有连接S 端，如果是这样的话，从esd来讲，NMOS是一个对称器件，S端与D端都需需要加SAB

zhangyp · 发表于 2023-10-12 11:56:43

wfcawy 发表于 2023-10-12 10:49
你用的这个功率管NMOS 的B端是不是没有连接S 端，如果是这样的话，从esd来讲，NMOS是一个对称器件，S端与 ...

是在一个大nwell里面呢，并且外面有环，有metal把外面的接衬底的环和source连起来；难道这样也不行？关于加sab，晶圆厂的人也是说最好源和漏端都加，但是现在我都做好了，这个源端没有留位置，只能做漏端加SAB了，光罩已经发出去改好了，接下来就看2个月左右后面的结果了

补充内容 (2023-12-2 21:05):
是PWELL

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