GGNMOS SAB讨论分析

IC_Spark · 发表于 2023-8-10 11:45:05

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最近一直在思考一个问题，GGNMOS，如下图，目前普遍做法是将gate和drain拉开space并且做SAB处理，从而提高ESD导通均匀性

但是为什么不是拉开source和gate之间space并且做SAB处理呢？

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mars0904 · 发表于 2023-8-11 08:46:25

从source走的电流只要走寄生diode即可，不需要均匀性

沐风彡 · 发表于 2023-8-11 11:32:52

个人理解哈~
ESD电流从D走到SUB是利用PN结的反向击穿特性，击穿前PN结的寄生电阻很大，如果没有SAB，不同finger间电流差异很明显，会导致很严重的不均匀开启；
而ESD电流从SUB走到S是利用PN结的正偏特性，导通电阻很小，不同finger间电流差异不是很明显，所以不需要SAB。

玖君00 · 发表于 2023-8-11 15:46:07

沐风彡发表于 2023-8-11 11:32
个人理解哈~
ESD电流从D走到SUB是利用PN结的反向击穿特性，击穿前PN结的寄生电阻很大，如果没有SAB，不同fi ...

你头像太吓人，看着让人发虚。

IC_Spark · 发表于 2023-8-11 17:02:57

沐风彡发表于 2023-8-11 11:32
个人理解哈~
ESD电流从D走到SUB是利用PN结的反向击穿特性，击穿前PN结的寄生电阻很大，如果没有SAB，不同fi ...

哈哈，是我之前想歪了，确实，DG之间拉开才是导通均匀的有效方式。拉开SG作用不大，是因为本身就是一个diode压降，拉开会影响β，让NPN snapback降低，但是对均匀导通影响远没有DG拉开做SAB有用

谢谢！

IC_Spark · 发表于 2023-8-11 17:03:58

玖君00 发表于 2023-8-11 15:46
你头像太吓人，看着让人发虚。

万一是本尊呢，哈哈哈

fei_SH · 发表于 2023-8-14 10:38:15

drain断加SAB主要有三个原因。一个就是大家熟知的，增加镇流电阻，提高Vt2，改善导通均匀性；一个是考虑散热，drain端是高压高电流，热集中，需要加宽；还有一个是Silicide 熔点低，容易提前熔化降低ESD性能，能去掉的地方就去掉。加SAB是很多ESD器件上比较常用的手段，不只是在mos上。

IC_Spark · 发表于 2023-8-16 10:37:18

fei_SH 发表于 2023-8-14 10:38
drain断加SAB主要有三个原因。一个就是大家熟知的，增加镇流电阻，提高Vt2，改善导通均匀性；一个是考虑散 ...

谢谢~

江湖人92 · 发表于 2023-8-18 17:37:30

沐风彡发表于 2023-8-11 11:32
个人理解哈~
ESD电流从D走到SUB是利用PN结的反向击穿特性，击穿前PN结的寄生电阻很大，如果没有SAB，不同fi ...

大佬头像是柯明道吗

沐风彡 · 发表于 2023-8-21 09:40:49

江湖人92 发表于 2023-8-18 17:37
大佬头像是柯明道吗

哈哈哈，是柯明道教授，我是菜鸡一枚，换头像玩的

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