在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 860|回复: 5

[求助] 为啥掩膜版图形要比实际图形大4倍?

[复制链接]
发表于 2023-7-24 17:24:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
如题, 为啥掩膜版图形要比实际图形大4倍?



                               
登录/注册后可看大图



发表于 2023-8-3 09:10:40 | 显示全部楼层
随着wafer尺寸不断增大,如果仍然采用1:1比例的mask,就需要更大尺寸的透镜,同时对透镜折射率均匀性,表面均匀性,以及光学像差等提出了更高的要求。为了解决这一问题,步进式光刻技术(Steppers: Step and repeat systems )随之出现。步进式光刻的基本思想是:透镜尺寸不变,曝光区域由原来的整个wafer变为单个Die,采用小区域曝光。首先把wafer分成无数个小方块Die,通常尺寸为22mmX22mm(关于Die的概念可以参考以前的文章Y1D17—硅光相关概念wafer,die,chip以及bonding),然后通过4:1或者5:1的比例制作一个Die的mask(传统mask与wafer是1:1)。https://zhuanlan.zhihu.com/p/146326468
 楼主| 发表于 2023-8-4 14:14:21 | 显示全部楼层


Ming忄zhe 发表于 2023-8-3 09:10
随着wafer尺寸不断增大,如果仍然采用1:1比例的mask,就需要更大尺寸的透镜,同时对透镜折射率均匀性,表 ...


感谢大佬分享!
发表于 2023-8-4 18:18:20 | 显示全部楼层
谢谢分享,有些习以为常的知识背后有很多道理
发表于 2023-12-13 11:18:07 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2024-1-23 10:59:14 | 显示全部楼层
good reference
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-28 00:05 , Processed in 0.027017 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表