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[求助] 为啥掩膜版图形要比实际图形大4倍?

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发表于 2023-7-24 17:24:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题, 为啥掩膜版图形要比实际图形大4倍?



                               
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发表于 2023-8-3 09:10:40 | 显示全部楼层
随着wafer尺寸不断增大,如果仍然采用1:1比例的mask,就需要更大尺寸的透镜,同时对透镜折射率均匀性,表面均匀性,以及光学像差等提出了更高的要求。为了解决这一问题,步进式光刻技术(Steppers: Step and repeat systems )随之出现。步进式光刻的基本思想是:透镜尺寸不变,曝光区域由原来的整个wafer变为单个Die,采用小区域曝光。首先把wafer分成无数个小方块Die,通常尺寸为22mmX22mm(关于Die的概念可以参考以前的文章Y1D17—硅光相关概念wafer,die,chip以及bonding),然后通过4:1或者5:1的比例制作一个Die的mask(传统mask与wafer是1:1)。https://zhuanlan.zhihu.com/p/146326468
 楼主| 发表于 2023-8-4 14:14:21 | 显示全部楼层


Ming忄zhe 发表于 2023-8-3 09:10
随着wafer尺寸不断增大,如果仍然采用1:1比例的mask,就需要更大尺寸的透镜,同时对透镜折射率均匀性,表 ...


感谢大佬分享!
发表于 2023-8-4 18:18:20 | 显示全部楼层
谢谢分享,有些习以为常的知识背后有很多道理
发表于 2023-12-13 11:18:07 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2024-1-23 10:59:14 | 显示全部楼层
good reference
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