利用cascode级提升LDO的PSR

BraveTiger · 发表于 2023-7-6 11:50:47

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各位大佬，这个结构看文献能理解其中的原理。
利用NMOS cascode的屏蔽效应，将power supply的纹波屏蔽以提升整体LDO的psr。
但是基于cascode要处于饱和区才生效，文献中的charge pump是将其G端提升至2VDD，本人利用直流电压源替代的，但是经过仿真发现，cascode级怎么都调整不到饱和区。
有做过此结构的大佬吗？还望指点一下啊。

waley · 发表于 2023-7-6 13:33:07

參考參考~

BraveTiger · 发表于 2023-7-6 13:40:18

自顶一下

BraveTiger · 发表于 2023-7-6 14:08:52

为了使得LDO具有低压差特性，利用电荷泵将其提升至大约为2倍的VDD，但是经过我的仿真发现NMOS cascode的D端与S端几乎相差不大，也就是说Vds<Vdsat,使得NMOS cascode处于线性区，而不能处于饱和区，使得屏蔽效应失效。

mada147258 · 发表于 2023-7-6 14:15:49

想问一下，你是在什么负载条件下仿真的，感觉当load 电流比较小的时候，NMOS的确难以处在饱和区

BraveTiger · 发表于 2023-7-6 14:23:27

mada147258 发表于 2023-7-6 14:15
想问一下，你是在什么负载条件下仿真的，感觉当load 电流比较小的时候，NMOS的确难以处在饱和区 ...

空载和1mA负载时我都没能调整到饱和区

jojenwong · 发表于 2023-7-6 16:16:34

mcas 要取很大吧，但是负载电流变化，mcas不可能全都处于饱和区

woodhorse007 · 发表于 2023-7-6 17:18:16

这份电路图的出处能发一下吗？

qluo14 · 发表于 2023-7-6 21:55:09

同样好奇出处，文献可以发下吗？

BraveTiger · 发表于 2023-7-7 09:21:54

给大家上传一下文献

[求助] 利用cascode级提升LDO的PSR

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