cmos时钟电路的设计技巧

vannylee

   

yjj_123 发表于 2023-4-14 13:56
BUF的尺寸增加带来的驱动能力收益要大于他自己增加的寄生电容，因为尺寸不需要你增加的特别多。你可以自 ...

谢谢大佬，爱你

Mike_GS

不同尺寸的INV驱动一个相对本身寄生电容较大的负载电容（如1pF），上升下降时间是不同的。用一个小尺寸的INV来驱动大负载，上升时间很慢，可能无法满足时钟的速度需求。所以通过逐级增大INV尺寸的方式，这样可以降低每一级INV的上升时间满足时钟的速度需求。
可以看Rabaey的《数字集成电路》，有详细的推导。

hadeheng

3楼正解