ESD结构问题

wuhanhan8 · 发表于 2023-3-15 09:39:53

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大家好，下图为传统教材上的ESD防护电路，不管PAD到VIN、gnd等无论正负均有二极管正偏泄流，如图1；我看现在有些设计，省略了PAD到VIN的diode，如图2，那这样的电路，PAD到gnd就是通过diode的反向击穿泄流，请问其优缺点是什么，谢谢！

另外，GGNMOS和GGPMOS的优缺点是什么呢，理论上即可以省略nmos，也可以省略pmos吧？
微信图片_20230315093711.jpg

yuanlk_seu · 发表于 2023-3-15 09:50:55

你可以仿真一个HBM模型，看看PAD到GND压降是多少。

522526tl · 发表于 2023-3-15 10:20:52

是什么类型的diode啊，反向击穿泄流，目前没遇到过这种做法，想学习学习

wuhanhan8 · 发表于 2023-3-15 10:54:30

522526tl 发表于 2023-3-15 10:20
是什么类型的diode啊，反向击穿泄流，目前没遇到过这种做法，想学习学习

就是ggnmos，有时候gate会加一个电阻

522526tl · 发表于 2023-3-15 11:00:01

wuhanhan8 发表于 2023-3-15 10:54
就是ggnmos，有时候gate会加一个电阻

哦哦，那这个我大概有一点点了解，正向应该主要靠Cgs耦合到gate电压让MOS开启，反向是NPN靠中一个结的反向电流抬升P的电位实现开启。

gtfei · 发表于 2023-3-15 11:25:21

一般不建议图二的用法，尽量让DIODE走正向防护通路，DIODE在反向击穿之后，容易损坏，丧失ESD保护能力。可以考虑DIODE并联一个GGNMOS。

上官轩晖 · 发表于 2023-3-15 12:19:04

内部电路输入有电阻到地吗？

powerboy711 · 发表于 2023-3-15 13:58:23

通常都是用GGnmos，省略pmos，为了省面积，而且因为VIN对gnd有esd，可以为其他PIN对vin打esd的时候提供通道

wuhanhan8 · 发表于 2023-3-20 16:20:32

上官轩晖发表于 2023-3-15 12:19
内部电路输入有电阻到地吗？

没有

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