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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › ESD结构问题
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查看: 2673|回复: 8

[求助] ESD结构问题

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wuhanhan8
发表于 2023-3-15 09:39:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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      大家好，下图为传统教材上的ESD防护电路，不管PAD到VIN、gnd等无论正负均有二极管正偏泄流，如图1；我看现在有些设计，省略了PAD到VIN的diode，如图2，那这样的电路，PAD到gnd就是通过diode的反向击穿泄流，请问其优缺点是什么，谢谢！

      另外，GGNMOS和GGPMOS的优缺点是什么呢，理论上即可以省略nmos，也可以省略pmos吧？
微信图片_20230315093711.jpg 微信图片_202303150937111.jpg   
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yuanlk_seu
发表于 2023-3-15 09:50:55 | 显示全部楼层
你可以仿真一个HBM模型，看看PAD到GND压降是多少。

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522526tl
发表于 2023-3-15 10:20:52 | 显示全部楼层
是什么类型的diode啊，反向击穿泄流，目前没遇到过这种做法，想学习学习
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wuhanhan8
 楼主| 发表于 2023-3-15 10:54:30 | 显示全部楼层


522526tl 发表于 2023-3-15 10:20
是什么类型的diode啊，反向击穿泄流，目前没遇到过这种做法，想学习学习


就是ggnmos，有时候gate会加一个电阻
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522526tl
发表于 2023-3-15 11:00:01 | 显示全部楼层


wuhanhan8 发表于 2023-3-15 10:54
就是ggnmos，有时候gate会加一个电阻


哦哦，那这个我大概有一点点了解，正向应该主要靠Cgs耦合到gate电压让MOS开启，反向是NPN靠中一个结的反向电流抬升P的电位实现开启。
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gtfei
发表于 2023-3-15 11:25:21 | 显示全部楼层
一般不建议图二的用法，尽量让DIODE走正向防护通路，DIODE在反向击穿之后，容易损坏，丧失ESD保护能力。可以考虑DIODE并联一个GGNMOS。
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上官轩晖
发表于 2023-3-15 12:19:04 | 显示全部楼层
内部电路输入有电阻到地吗？
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powerboy711
发表于 2023-3-15 13:58:23 | 显示全部楼层
通常都是用GGnmos，省略pmos，为了省面积，而且因为VIN对gnd有esd，可以为其他PIN对vin打esd的时候提供通道
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wuhanhan8
 楼主| 发表于 2023-3-20 16:20:32 | 显示全部楼层


上官轩晖 发表于 2023-3-15 12:19
内部电路输入有电阻到地吗？


没有
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