为什么存储芯片在Bumping&RDL工艺不能使用高温PI？

tencome · 发表于 2023-3-6 08:27:59

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本帖最后由 tencome 于 2023-3-13 15:52 编辑

请教一下大神，

存储芯片DRAM在Bumping&RDL工艺不能使用常规固化温度380度的Polyimide，只能用固化温度为低温200度的Polyimide ？

是DRAM 晶体管有什么特殊结构导致的？高温会导致DRAM晶体管出什么问题么？

tencome · 发表于 2023-9-5 11:22:32

没有大神知道么？

andy2000a · 发表于 2023-9-5 12:16:54

不知道

BUT 网络发现

M Amagi 著作 · 1995 · Polyimidefatigue induced chip surface damage in DRAM'sLead-On-Chip (LOC) ... metal due to polyimidecracking caused by fatigue

tencome · 发表于 2023-9-5 14:25:09

andy2000a 发表于 2023-9-5 12:16
不知道 BUT 网络发现 M Amagi 著作 · 1995 · Polyimidefatigue induced chip surface damage in DR ...

这个文章只是 PI 疲劳失效，与高温低温 PI关系不大吧。

据说不让用高温PI 的1个可能性是长时间高温烘烤可能会导致DRAM芯片失效，不知道长时间高温会不会导致 DRAM 晶体管内部出现电子隧穿之类的异常？

andy2000a · 发表于 2023-9-5 17:52:33

tencome 发表于 2023-9-5 14:25
这个文章只是 PI 疲劳失效，与高温低温 PI关系不大吧。

HTOL 会 85度

但也不会到上百度吧

200 多度这不再IC范围吧

[求助] 为什么存储芯片在Bumping&RDL工艺不能使用高温PI？

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