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[求助] ring osc 延时计算为什么采用长沟模型

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发表于 2023-2-1 14:56:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大部分论文上:
ring osc 延时计算为什么采用长沟模型??

1675234551529.png
发表于 2023-2-2 14:22:40 | 显示全部楼层
应为此时使用的器件沟道比较长,用长沟道模型比较方便,准确度也很高。
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发表于 2023-2-2 23:06:25 | 显示全部楼层
楼主方便发下这篇文章?最近在看一个关于RO的细节问题
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 楼主| 发表于 2023-2-3 09:25:39 | 显示全部楼层


   
qqq 发表于 2023-2-2 23:06
楼主方便发下这篇文章?最近在看一个关于RO的细节问题


一种具有温度和工艺参数漂移补偿效应的环形振荡器 - 豆丁网 (docin.com)
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 楼主| 发表于 2023-2-3 09:40:34 | 显示全部楼层


   
qqq 发表于 2023-2-2 23:06
楼主方便发下这篇文章?最近在看一个关于RO的细节问题


一种具有温度和工艺参数漂移补偿效应的环这篇文章,我是在线看的

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 楼主| 发表于 2023-2-3 09:45:10 | 显示全部楼层


   
wkp1992101 发表于 2023-2-2 14:22
应为此时使用的器件沟道比较长,用长沟道模型比较方便,准确度也很高。


多谢,你是指电流镜像的mos一般L都比较大。有没有采用类似反相器这样的延时单元,这样如何去补偿?此时公式是不是不再适用?
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 楼主| 发表于 2023-2-3 09:51:15 | 显示全部楼层


   
yangchan135692 发表于 2023-2-3 09:40
一种具有温度和工艺参数漂移补偿效应的环这篇文章,我是在线看的


这篇差不多

Process and Temperature Compensation in a 7-MHz.pdf

2.38 MB, 下载次数: 48 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

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发表于 2023-2-3 13:54:52 | 显示全部楼层


   
yangchan135692 发表于 2023-2-3 09:45
多谢,你是指电流镜像的mos一般L都比较大。有没有采用类似反相器这样的延时单元,这样如何去补偿?此时公 ...


反相器里面的器件也可以使用长L的器件,不一定用标准单元里面的反相器。

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发表于 2023-2-3 13:58:22 | 显示全部楼层


   
wkp1992101 发表于 2023-2-3 13:54
反相器里面的器件也可以使用长L的器件,不一定用标准单元里面的反相器。

...


这种器件的延时是不好补偿的(随PVT变化而变化),osc的周期是 RC延时(真实电阻和电容)+器件延时(寄生电阻和寄生电容);其中RC延时是容易做补偿的,只需要使器件延时占比小即可。RC延时占比大,给R做补偿即可,C一般比较准不需要补偿。
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 楼主| 发表于 2023-2-3 14:28:07 | 显示全部楼层


   
wkp1992101 发表于 2023-2-3 13:58
这种器件的延时是不好补偿的(随PVT变化而变化),osc的周期是 RC延时(真实电阻和电容)+器件延时(寄生 ...


这样的做出的频率会比较低,想做一个频率比较高比如100M以上的,不知道补偿能否实现。
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