手机号码,快捷登录
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册
使用道具 举报
qqq 发表于 2023-2-2 23:06 楼主方便发下这篇文章?最近在看一个关于RO的细节问题
wkp1992101 发表于 2023-2-2 14:22 应为此时使用的器件沟道比较长,用长沟道模型比较方便,准确度也很高。
yangchan135692 发表于 2023-2-3 09:40 一种具有温度和工艺参数漂移补偿效应的环这篇文章,我是在线看的
Process and Temperature Compensation in a 7-MHz.pdf
2023-2-3 09:51 上传
点击文件名下载附件
2.38 MB, 下载次数: 48 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元
yangchan135692 发表于 2023-2-3 09:45 多谢,你是指电流镜像的mos一般L都比较大。有没有采用类似反相器这样的延时单元,这样如何去补偿?此时公 ...
wkp1992101 发表于 2023-2-3 13:54 反相器里面的器件也可以使用长L的器件,不一定用标准单元里面的反相器。 ...
wkp1992101 发表于 2023-2-3 13:58 这种器件的延时是不好补偿的(随PVT变化而变化),osc的周期是 RC延时(真实电阻和电容)+器件延时(寄生 ...
本版积分规则 发表回复 回帖并转播 回帖后跳转到最后一页
查看 »
手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )
GMT+8, 2025-10-13 03:27 , Processed in 0.019876 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.