ring osc 延时计算为什么采用长沟模型

wkp1992101

   

yangchan135692 发表于 2023-2-3 14:28
这样的做出的频率会比较低，想做一个频率比较高比如100M以上的，不知道补偿能否实现。
...

不能，考虑用其他结构，比如恒定电流给C充电加比较器这种。高频环形振荡器是不好做补偿的。原因是，高频环形振荡器为了做到高频，那么器件就比较小比如size为1，需要更小的器件来做补偿比如说1%（这往往不现实）。

fy789

good thx !!!!!!!!!!

yangchan135692

   

wkp1992101 发表于 2023-2-3 14:50
不能，考虑用其他结构，比如恒定电流给C充电加比较器这种。高频环形振荡器是不好做补偿的。原因是，高频 ...

多谢，由于使用ringosc可以得到延时链，就是多个clk之间延时均分相等。如果采用charge+comp，这样就只有一个clk

wkp1992101

   

yangchan135692 发表于 2023-2-6 09:44
多谢，由于使用ringosc可以得到延时链，就是多个clk之间延时均分相等。如果采用charge+comp，这样就只有 ...

多个clk之间延时均分相等是dll的功能，dll通过鉴频鉴相器检测到corner导致的变化，通过动态调整压控振荡器的电压，保证输出时钟周期不变（也就是频率不变）。其中压控振荡器里面就是反相器延时链，各个clk之间延时均分相等。也不需要校准。

yangchan135692

   

wkp1992101 发表于 2023-2-6 10:53
多个clk之间延时均分相等是dll的功能，dll通过鉴频鉴相器检测到corner导致的变化，通过动态调整压控振荡 ...

多谢。是的，想采用这种补偿的方法既可以得到频率和也可以得到延时链。否则要先产生一个基准的osc，再通过dll或者pll去实现延时链。

sara9233

   

yangchan135692 发表于 2023-2-3 09:51
这篇差不多

请教下这篇文献内：图5中温度补偿的部分，怎么推理出通过调节M9的尺寸来调节温度斜率呢？

yangchan135692

   

sara9233 发表于 2023-2-7 14:41
请教下这篇文献内：图5中温度补偿的部分，怎么推理出通过调节M9的尺寸来调节温度斜率呢？

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哪个公式？

yangchan135692

   

sara9233 发表于 2023-2-7 14:41
请教下这篇文献内：图5中温度补偿的部分，怎么推理出通过调节M9的尺寸来调节温度斜率呢？

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推导是不是M6有点多余？？

sara9233

   

yangchan135692 发表于 2023-2-9 17:40
推导是不是M6有点多余？？

猜图5中左边部分产生零温电流（电阻正温度系数），因此M6可以感应工艺引起的VTH变化，通过Vtref的变化，就可以知道工艺的变化。

yangchan135692

   

sara9233 发表于 2023-2-10 15:14
猜图5中左边部分产生零温电流（电阻正温度系数），因此M6可以感应工艺引起的VTH变化，通过Vtref的变化，就 ...

但是M9中已经有vth的变化，那不是重复了吗