非易失MRAM是BBSRAM完美替代产品

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MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器，使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他半导体存储器件都不能全部拥有的。

MRAM这是一种基于隧穿磁阻效应的技术，MRAM所选工艺比现有工艺DRAM和更复杂，成本会更高。但它有现有的SRAM和DRAM没有的特点，随着应用规模的逐渐扩大，成本会逐渐降低。

磁阻随机存储器是一种采用新技术的随机存储器。它使用磁致电电阻效应来保存信息，因此它的速度可以和SRAM比，但同时也可和FLASH断电后还可以保留数据。

MRAM技术特点：
不容易丢失:铁磁体的磁带不会因为断电而消失，所以MRAM具有非易失性。
读写频率次数无限:铁磁体的磁化不仅断电不会消退，而且几乎可以认为它永远不会消失，所以MRAM和DRAM同样可以无限重写。
写入速度快，功耗低：MRAM写入时间可以低至2.3ns，而且功耗极低，可以实现瞬时开关机，增加便携机电池的使用时间。
逻辑芯片整合度高：MRAM可以很容易地放入逻辑电路芯片中，只需要在后端金属化过程中改进一两个步骤。MRAM可以完全制成芯片的金属层，甚至可以实现2-3层单元的堆叠，因此在逻辑电路上具有结构规模内存阵列的潜力。

MRAM特性较好，但临界电流强度和功耗仍需进一步降低。MRAM存储单元规格仍较大，不适合堆叠，工艺复杂，大规模制造难以保证均匀性，存储容量和产量上坡缓慢。在进一步突破这一过程之前，MRAM商品主要适用于体积要求低的特殊应用领域及其新型IOT嵌入式存储行业。