PMOS电容衬底能接gnd么？

knowworlds · 发表于 2022-7-22 14:46:31

PMOS电容衬底接地相当于寄生PNP三极管 B C E三个极都接GND。按理说是没啥问题的，但是这个和正常BJT的做法不太一样。我个人觉得可能容易引发LATCH UP问题。

kgdvfhpfss · 发表于 2022-7-22 14:46:32

istart_2002 发表于 2022-7-22 14:36
所以PMOS电容衬底接gnd会有什么问题么？

没问题啊，至少容值上没问题

xuwenwei · 发表于 2022-7-22 17:15:26

看工艺，可以独立NW就可以的

istart_2002 · 发表于 2022-7-25 10:30:07

knowworlds 发表于 2022-7-22 14:46
PMOS电容衬底接地相当于寄生PNP三极管 B C E三个极都接GND。按理说是没啥问题的，但是这个和正常BJT的做法 ...

那如何解决呢？改成MOM电容或者 PMOS沉底接AVDD？

knowworlds · 发表于 2022-7-25 10:35:02

istart_2002 发表于 2022-7-25 10:30
那如何解决呢？改成MOM电容或者 PMOS沉底接AVDD？

都可以。你这个是反向的电路还是从别人那里继承的。最好确认一下gate是不是负压。如果确认不是负压就改成接AVDD把。
如果是HV/DNW工艺，也就是说有负压well。也可以这么接，影响不大。如果是普通BiCMOS工艺，那就老老实实改了把。

istart_2002 · 发表于 2022-7-25 10:59:02

knowworlds 发表于 2022-7-25 10:35
都可以。你这个是反向的电路还是从别人那里继承的。最好确认一下gate是不是负压。如果确认不是负压就改成 ...

为什么容易引发LATCH UP问题呢？为什么gate是负压，衬底就可以这么接呢？

knowworlds · 发表于 2022-7-25 11:19:52

这不是简单的PN结问题吗。有负压就是反压PN结啊。如果没有负压，PN结之间没有反压电位差，如果有地弹或者别的ESD什么打进来，总感觉很危险啊。

istart_2002 · 发表于 2022-7-25 11:37:17

knowworlds 发表于 2022-7-25 11:19
这不是简单的PN结问题吗。有负压就是反压PN结啊。如果没有负压，PN结之间没有反压电位差，如果有地弹或者别 ...

gate不管是什么电压，源衬、漏衬之间电压不都是0么，正、负有什么差别呢？

bo_feng · 发表于 2022-7-26 10:18:59

这是积累区的电容，用的不是反型区

istart_2002 · 发表于 2022-7-26 19:01:20

bo_feng 发表于 2022-7-26 10:18
这是积累区的电容，用的不是反型区

嗯使用的时候栅压为0.9V，上电之前为0.1或0.2V，PMOS管栅衬电压为正，PMOS管工作在积累区。让它工作在积累区是为了避免反型区容值可能出现变化？

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