同一工艺条件下，不同耐压值的管子栅氧层厚度一样吗

温柔一些 · 发表于 2022-6-8 10:34:34

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

×

waley · 发表于 2022-6-8 15:43:40

不一樣, IO device 與 core device gate 厚度不同, 1.8V IO device 與 2.5V IO device 的厚度也不同
gate oxide 厚度與 Vgs 內壓息息相關
Vds 耐壓還與 channel length 有關

deepcore · 发表于 2022-6-8 20:47:19

這不見得。比方說0.18um製程，當需要overdrive到2.5V 時，它的gate oxide thickness是不變的,只需要將gate length加長到0.275um即可。其實gate to bulk的耐壓會比其餘三端彼此間耐壓來的高，所以偶爾會看到gate to bulk電壓已經overdrive到超過額定，但只要其餘三端壓差沒有超過，也不會損及device reliability

账号		自动登录	找回密码
密码			注册

[求助] 同一工艺条件下，不同耐压值的管子栅氧层厚度一样吗

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

点评

浏览过的版块

站长推荐 /1