器件原理请教

爱上层楼 · 发表于 2022-5-16 23:24:05

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请问对于一个mos来说，判断导通与否为什么是根据Vgs和Vth的大小关系来判断？为什么不是根据Vg和Vth的大小关系来判断？从原理上说，不就是gate上的电压形成的电场使沟道反型然后导通吗，这里面没有源的事啊。然后第二个求助的问题是，对于图中这个nmos构成的反相器，Vin输入1，Vout输出0我能看懂，但是Vin输入0，Vout怎么输出的1？上面那个nmos不是一直处于关断吗，Vin输入0时Vout和Vdd不导通啊。求老哥解惑

莫莘辛宇 · 发表于 2022-5-17 08:38:09

大信号分析，上面看成一定阻值的电阻

BJTUWKF · 发表于 2022-5-17 09:08:02

实际上Vth不是一成不变的，是跟源衬底电压Vsb有关系的，Vsb越大Vth越大，所以不能只简单比较Vg和Vth的关系来判断mos的通断；
第二个问题，上面那个mos应该是pmos，栅和漏接在一起是一种二极管接法的mos，永远处于饱和区，小信号电阻1/gm

爱上层楼 · 发表于 2022-5-17 09:53:09

BJTUWKF 发表于 2022-5-17 09:08
实际上Vth不是一成不变的，是跟源衬底电压Vsb有关系的，Vsb越大Vth越大，所以不能只简单比较Vg和Vth的关系 ...

第一个问题明白了，然后第二个我确认了一下，确实两个mos都是nmos呀

janlesion · 发表于 2022-5-17 15:50:16

爱上层楼发表于 2022-5-17 09:53
第一个问题明白了，然后第二个我确认了一下，确实两个mos都是nmos呀

常见的反向器是上为增强型P管，下为增强型N管；我去特意找了下楼主的电路，估计楼主的图不准确，应该是上为耗尽型N管，下为增强型N管；

爱上层楼 · 发表于 2022-5-18 13:19:46

janlesion 发表于 2022-5-17 15:50
常见的反向器是上为增强型P管，下为增强型N管；我去特意找了下楼主的电路，估计楼主的图不准确，应该是上 ...

原贴的图是在一篇文献中直接粘贴过来的，并且最近在其他文献中也发现了此结构

janlesion · 发表于 2022-5-19 09:29:54

那文献是怎么分析的？可能文献分析的内容与电路不一样呢？

，可能是源头不小心画错了，然后别人也都直接复制

:lol

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