PMOS的闪烁噪声问题

迎风 · 发表于 2022-4-7 11:09:36

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拉扎维书上说：PMOS的闪烁噪声比NMOS的低，因为PMOS运输空穴是在”埋沟“中，受表面影响较小。我了解到现在0.35工艺以下的工艺制程已经基本不用埋沟器件了，那么PMOS的闪烁噪声还是会比NMOS好吗？还是书上说的这个“埋沟”不是真的埋沟，有人清楚这个问题吗，烦请指教以下。

leejohannes · 发表于 2022-4-7 13:39:37

应该是翻译带来的误解吧，PMOS再FinFET工艺上还是闪烁噪声好于NMOS

迎风 · 发表于 2022-4-7 15:53:36

leejohannes 发表于 2022-4-7 13:39
应该是翻译带来的误解吧，PMOS再FinFET工艺上还是闪烁噪声好于NMOS

我看了一下英文原版，它是这么描述的

，请问怎么理解这个 “buried channel”呢？

leejohannes · 发表于 2022-4-7 20:09:46

根据图理解咯，不是指某种工艺是channel在形成电流时电荷可以流动的通道，我是这么理解的

leejohannes · 发表于 2022-4-7 20:11:21

图来自
Nishiuchi, K., Oka, H., Nakamura, T., Ishikawa, H., & Shinoda, M. (1978). A normally-off type buried channel MOSFET for VLSI circuits. 1978 International Electron Devices Meeting, 26-29.

迎风 · 发表于 2022-4-13 14:31:46

leejohannes 发表于 2022-4-7 20:09
根据图理解咯，不是指某种工艺是channel在形成电流时电荷可以流动的通道，我是这么理解的 ...

你这图是典型的埋沟MOS吧，现在常用的MOS哪里还用这种结构，现在的工艺导电沟道不都是反型沟道吗

nanke · 发表于 2022-4-13 19:59:49

本帖最后由 nanke 于 2022-4-13 20:02 编辑

不清楚

leejohannes · 发表于 2022-4-13 20:52:57

你要的反型

leejohannes · 发表于 2022-4-13 21:11:02

反型层是vgs大于vth出现的，原书我理解的意思是形成的电子通道，在well里掺杂只是改变了vth还有开关性能，我简单理解成就是p在同尺寸下开关性能差。。。所以粉红噪声不容易通过。。。当然尺寸如你所说200nm+
另外tsmc所有工艺都保留了native nmos

迎风 · 发表于 2022-4-14 18:42:45

leejohannes 发表于 2022-4-13 21:11
反型层是vgs大于vth出现的，原书我理解的意思是形成的电子通道，在well里掺杂只是改变了vth还有开关性能， ...

现在说的是正常的MOS，也就是靠反型沟道导电的MOS，不管是PMOS还是NMOS，其反型沟道都是在表面形成的，那为什么PMOS的闪烁噪声还是比NMOS好呢？另外native 管子也只有N型的，没有可比性，且native NMOS虽然阈值电压是负的，但也是表面反型沟道导电的呀

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