在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4455|回复: 12

[讨论] PMOS的闪烁噪声问题

[复制链接]
发表于 2022-4-7 11:09:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
拉扎维书上说:PMOS的闪烁噪声比NMOS的低,因为PMOS运输空穴是在”埋沟“中,受表面影响较小。我了解到现在0.35工艺以下的工艺制程已经基本不用埋沟器件了,那么PMOS的闪烁噪声还是会比NMOS好吗?还是书上说的这个“埋沟”不是真的埋沟,有人清楚这个问题吗,烦请指教以下。
发表于 2022-4-7 13:39:37 | 显示全部楼层
应该是翻译带来的误解吧,PMOS再FinFET工艺上还是闪烁噪声好于NMOS
 楼主| 发表于 2022-4-7 15:53:36 | 显示全部楼层


leejohannes 发表于 2022-4-7 13:39
应该是翻译带来的误解吧,PMOS再FinFET工艺上还是闪烁噪声好于NMOS


我看了一下英文原版,它是这么描述的 image.png ,请问怎么理解这个 “buried channel”呢?
发表于 2022-4-7 20:09:46 | 显示全部楼层
3bf327b3f9d91a234e5c31c496bfe540_3-Figure1-1.png
根据图理解咯,不是指某种工艺是channel在形成电流时电荷可以流动的通道,我是这么理解的
发表于 2022-4-7 20:11:21 | 显示全部楼层
图来自
Nishiuchi, K., Oka, H., Nakamura, T., Ishikawa, H., & Shinoda, M. (1978). A normally-off type buried channel MOSFET for VLSI circuits. 1978 International Electron Devices Meeting, 26-29.
 楼主| 发表于 2022-4-13 14:31:46 | 显示全部楼层


leejohannes 发表于 2022-4-7 20:09
根据图理解咯,不是指某种工艺是channel在形成电流时电荷可以流动的通道,我是这么理解的 ...


你这图是典型的埋沟MOS吧,现在常用的MOS哪里还用这种结构,现在的工艺导电沟道不都是反型沟道吗
发表于 2022-4-13 19:59:49 | 显示全部楼层
本帖最后由 nanke 于 2022-4-13 20:02 编辑

不清楚
发表于 2022-4-13 20:52:57 | 显示全部楼层
你要的反型
image.png
发表于 2022-4-13 21:11:02 | 显示全部楼层
反型层是vgs大于vth出现的,原书我理解的意思是形成的电子通道,在well里掺杂只是改变了vth还有开关性能,我简单理解成就是p在同尺寸下开关性能差。。。所以粉红噪声不容易通过。。。当然尺寸如你所说200nm+
另外tsmc所有工艺都保留了native nmos
e79c7a793bbda082d725fd1e7c46a9d9_slide4-l.jpg
 楼主| 发表于 2022-4-14 18:42:45 | 显示全部楼层


leejohannes 发表于 2022-4-13 21:11
反型层是vgs大于vth出现的,原书我理解的意思是形成的电子通道,在well里掺杂只是改变了vth还有开关性能, ...


现在说的是正常的MOS,也就是靠反型沟道导电的MOS,不管是PMOS还是NMOS,其反型沟道都是在表面形成的,那为什么PMOS的闪烁噪声还是比NMOS好呢?另外native 管子也只有N型的,没有可比性,且native NMOS虽然阈值电压是负的,但也是表面反型沟道导电的呀
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-15 01:02 , Processed in 0.024220 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表