SMIC.18BCD工艺高压管的问题

peterlin2010

   

喵了个木头 发表于 2023-8-21 09:06
这种降压的结构一般是什么样的呢

某些BCD process 除 low V gate + hi-Vds ldmos , 还有多 mask 会多高压HV gate MOS

但不常见 .

一般  an5gd20 : 5v gate 20v vds

An18gd20 : 18v gate  20v vds

Hi-V gate HV CMOS process 跟 BCD ldmos 先天不同的平台的 .  但某些chip 输入高压用 ldmos 不好处理 会多 mask 多一个 hi-V gate MOS , 但前提要 该 FAB 有

peterlin2010

   

卢指导 发表于 2023-3-12 12:14
自问自答一下，电流不大的情况下vgs确实不会超过5v，但高压管的栅长太小，沟长调制效应太显著，导致电流 ...

Rail-rail LDMOS  OPA 可做得到 , 一些 lcd driver VCOM buffer 是负压工作 rail-rail LDMOS

就低压 iso mos  + 高压 ldmos  .  Ldmos 去卡耐压 , 原则就 iso 5v mos 耐压要小心 .  至于 ldmos  vgs 耐压也要小心 .