SMIC.18BCD工艺高压管的问题

white_w · 发表于 2022-3-29 17:23:28

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，想问问各位友友们，SMIC.18BCD工艺的高压管为什么漏电那么大呀，上面两个管子是35V，下面三个管子是5V的，为什么在下面电流源那里电流就完全不对，上面两支路各2mA，下面居然只有254uA,太奇怪了

Huangshu · 发表于 2022-3-29 18:08:10

5V的nmos击穿了

lodestar6666 · 发表于 2022-3-29 19:23:48

要先仔细查看厂家各器件的参数范围。目前一般的BCD工艺所谓的高压是指VDS耐压，而VGS都是低压，你目前这种电路结构是不行的。

white_w · 发表于 2022-3-29 19:29:42

lodestar6666 发表于 2022-3-29 19:23
要先仔细查看厂家各器件的参数范围。目前一般的BCD工艺所谓的高压是指VDS耐压，而VGS都是低压，你目前这种 ...

好的，仿真确实发现了它的VGS还是5.5V的低压

white_w · 发表于 2022-3-29 19:32:56

lodestar6666 发表于 2022-3-29 19:23
要先仔细查看厂家各器件的参数范围。目前一般的BCD工艺所谓的高压是指VDS耐压，而VGS都是低压，你目前这种 ...

，它这里面有10v的管子，但是N管的HVBN和SUB衬底以及P管的HVBN、PEPI、SUB衬底该怎么接呀

lodestar6666 · 发表于 2022-3-29 23:38:27

white_w 发表于 2022-3-29 19:32
，它这里面有10v的管子，但是N管的HVBN和SUB衬底以及P管的HVBN、PEPI、SUB衬底该怎么接呀
...

应该有文档介绍的，先看文档

white_w · 发表于 2022-3-30 10:01:02

lodestar6666 发表于 2022-3-29 23:38
应该有文档介绍的，先看文档

，比如说右边这个高压管的栅极和漏极接一起，如果想要VDS分压够大，那它的VGS也一定很大，那这样就矛盾了呀，衬底有一个是接高电位，使用如果分压大的话，那么VGS一定会很大呀

，仿真会报Vgb最大只能到5.5V，比较疑惑

lodestar6666 · 发表于 2022-3-30 22:07:43

white_w 发表于 2022-3-30 10:01
，比如说右边这个高压管的栅极和漏极接一起，如果想要VDS分压够大，那它的VGS也一定很大，那这样就矛盾了 ...

有些工艺支持VGS高压，但现在很少了。一般高压供电的集成电路内部都有类似LDO的结构，先降压到低压给内部模块供电，只有输出驱动是高压。

white_w · 发表于 2022-4-1 10:34:25

lodestar6666 发表于 2022-3-30 22:07
有些工艺支持VGS高压，但现在很少了。一般高压供电的集成电路内部都有类似LDO的结构，先降压到低压给内部 ...

，是的，我现在就是在做高压转低压的预调制模块，电压是4-35V，这个工艺不太熟悉一直有很多问题，友友有没有什么好的降压结构呀

andy2000a · 发表于 2022-4-1 10:44:14

BCD design 需 vgs 做 gate clamp , 耐压用mos 的vds去卡 , 下面5v mos drain 端先串 nldmos . Nldmos gate=avdd =5v , nldmos drain 会卡住上面高压

, 如果要更安全就 pldmos + nldmos . 都用 ldmos 卡高压 , Hspice 记得用 biaschk 去检查每个 mos , 一般来说会瞬态超过 , 但这就 bcd design 问题 .. 像你nldmos 明明有卡高压,但瞬态下会发现那瞬间超过电压 .

一般BCD 好像很少有 BCD +HV 工艺 ,

多层mask 多高压MOS. 否则用高压MOS 会比较简单些. 像我一直好奇 “高压invert “ 该如何做? Hv mos 因 gate 可高压很容易 invert, 但Ldomos 的gate 是低压阿 , 我后来是做 level_shift , 但是电路上变复杂 .

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