射频开关

Jul_惰性

关于SOI工艺的射频开关提高功率容量的方法主要是通过晶体管堆叠，可是当功率到达20w以上时就要并15个以上的管子，有大佬知道可以通过其他方法将耐受功率提高到几十瓦的级别吗？

shr673699231

其实追踪问题本质，将晶体管堆叠是提高开关功率容量的方法，目的是降低单个管子的分压，开关管在off时达到功率容量极限是，会出现对叠管其中一个管子被击穿，那么提高单管的耐压，以及让对叠管分压均匀。提高单管的耐压增加管子L pitch，或者选用更好的工艺。