基于 SMIC 55nm 工艺，1.25V Bandgap 设计实录

YyuanRTs · 发表于 2021-11-4 19:30:30

你好像没算次主极点位置啊。第二级的电容是Cc的5倍，gm是第一级的5倍，那相位裕度不就正好45°了吗。而且，在bandgap用的时候一般都是又加了一级pmos，现在看相位裕度也没用

Ivy_End · 发表于 2021-11-4 20:25:34

YyuanRTs 发表于 2021-11-4 19:30
你好像没算次主极点位置啊。第二级的电容是Cc的5倍，gm是第一级的5倍，那相位裕度不就正好45°了吗。而且， ...

谢谢您的点拨，关于零极点的内容有些记不清了，所以这边就没算了。

m61830057 · 发表于 2021-12-2 15:58:52

thanks，楼主很棒

igolaps · 发表于 2024-11-21 19:46:46

thanks

[原创] 基于 SMIC 55nm 工艺，1.25V Bandgap 设计实录