在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
123
返回列表 发新帖
楼主: Ivy_End

[原创] 基于 SMIC 55nm 工艺,1.25V Bandgap 设计实录

[复制链接]
发表于 2021-11-4 19:30:30 | 显示全部楼层
你好像没算次主极点位置啊。第二级的电容是Cc的5倍,gm是第一级的5倍,那相位裕度不就正好45°了吗。而且,在bandgap用的时候一般都是又加了一级pmos,现在看相位裕度也没用
 楼主| 发表于 2021-11-4 20:25:34 | 显示全部楼层


YyuanRTs 发表于 2021-11-4 19:30
你好像没算次主极点位置啊。第二级的电容是Cc的5倍,gm是第一级的5倍,那相位裕度不就正好45°了吗。而且, ...


谢谢您的点拨,关于零极点的内容有些记不清了,所以这边就没算了。
发表于 2021-12-2 15:58:52 | 显示全部楼层
thanks,楼主很棒
发表于 昨天 19:46 | 显示全部楼层
thanks
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 07:02 , Processed in 0.014993 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表