金属密度过大导致过刻蚀还是欠刻驶？

ZMOS · 发表于 2021-10-15 10:58:25

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网上说：“在全芯片来看，如果总的金属密度过大，那么需要刻蚀掉的金属就少，这样很容易刻蚀过量，反之，如果总的金属密度过小，则需要刻蚀掉的金属就多，很容易造成刻蚀不净。”这个原因是什么呢？刻蚀窗口怎么决定大小呢？

jmf · 发表于 2021-10-15 13:55:09

不知道你这个是不是Cu工艺？ Cu不好做刻蚀，主要是淀积完了做CMP，金属密度的差别过大会导致CMP的结果不平。
另外刻蚀窗口我记得是刻蚀的槽/孔开口的深宽比决定的，一般开口越深越窄越难刻蚀。

印象中是这样。我不是做工艺的，欢迎纠正我~

tuohong · 发表于 2021-10-15 14:33:03

欠刻。

ZMOS · 发表于 2021-10-15 15:51:34

jmf 发表于 2021-10-15 13:55
不知道你这个是不是Cu工艺？ Cu不好做刻蚀，主要是淀积完了做CMP，金属密度的差别过大会导致CMP的结果不平 ...

“金属密度过大，那么需要刻蚀掉的金属就少，这样很容易刻蚀过量”这是过刻吗？

jenyusir · 发表于 2021-10-19 14:16:54

首先看是Cu工艺还是AL工艺，如果是Cu工艺，则不存在刻蚀金属的问题，Cu工艺是现在电解质层挖槽，如果pattern density 较大的话，刻蚀的过程中产生的polymer比较多，导致刻蚀速率低，从而可能产生density大的地方刻蚀不足的问题，刻蚀不足有可能导致与下层金属断路的问题。
另外，刻蚀完形成槽后，再往槽内填Cu，最后CMP，CMP过程中，pattern density大的地方磨掉的就少，这样就会造成盖地不平的现象

ZMOS · 发表于 2021-10-19 16:24:26

jenyusir 发表于 2021-10-19 14:16
首先看是Cu工艺还是AL工艺，如果是Cu工艺，则不存在刻蚀金属的问题，Cu工艺是现在电解质层挖槽，如果patter ...

AL工艺呢

jenyusir · 发表于 2021-10-19 16:34:46

ZMOS 发表于 2021-10-19 16:24
AL工艺呢

AL工艺是先把AL涨上去，然后再去刻蚀AL，把我们需要的pattern留下，不需要的就刻蚀掉。如果是AL工艺就和你说的是一致的咯。应该是这样子

ZMOS · 发表于 2021-10-19 20:50:45

jenyusir 发表于 2021-10-19 16:34
AL工艺是先把AL涨上去，然后再去刻蚀AL，把我们需要的pattern留下，不需要的就刻蚀掉。如果是AL工艺就和 ...

就是AL工艺中，金属密度大了造成过刻蚀没懂

jenyusir · 发表于 2021-10-20 10:23:22

ZMOS 发表于 2021-10-19 20:50
就是AL工艺中，金属密度大了造成过刻蚀没懂

是这样理解哦，AL工艺中，pattern density大，那就是需要刻蚀掉的AL就相对少；相比pattern density 小的地方，需要刻蚀掉的AL就多。刻蚀过程中刻蚀气体比例调整是要能达到刻蚀完全，那density过大的地方就可能导致过刻蚀哦，density小的地方就可能刻蚀不足。
我是这样理解的，没有做过工艺也比较难理解

firewolf223 · 发表于 2021-10-20 15:55:58

和你工艺有关系，不能一概而论

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