金属密度过大导致过刻蚀还是欠刻驶？

ZMOS

jenyusir 发表于 2021-10-20 10:23
是这样理解哦，AL工艺中，pattern density大，那就是需要刻蚀掉的AL就相对少；相比pattern density 小的 ...

有人说和刻蚀窗口有关，这个刻蚀窗口怎么理解？

nancy2408

1)在全芯片来看，如果总的金属密度过大，那么需要刻蚀掉的金属就少，这样很容易刻蚀过量，反之，如果总的金属密度过小，则需要刻蚀掉的金属就多，很容易造成刻蚀不净。  2)从局部来看，在进行平整化工艺的时候，金属密度较低的区域，相比于金属密度较高的区域会形成更薄的表面，即可能产生凹陷，这样在进行后续生产的时候，可能会造成大量的器件工艺波动，严重影响生产良率以及器件性能。

Zgy198701

这应该是说负载效应吧。在全芯片来看，如果总的金属密度过大，那么需要刻蚀掉的金属就少，消耗掉的反应物就少，刻蚀速率是偏高的，易过刻。反之，总的金属密度过小，则需要刻蚀掉的金属就多，消耗的反应物就多，刻蚀速率偏低，易残留。这里的过刻或残留是刻蚀条件相同的情况下。

ZMOS

Zgy198701 发表于 2021-12-13 21:33
这应该是说负载效应吧。在全芯片来看，如果总的金属密度过大，那么需要刻蚀掉的金属就少，消耗掉的反应物就 ...

谢谢，这个解释就通俗易懂了