在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: tfjim

[讨论] 加二极管消除天线效应的位置选择

[复制链接]
发表于 2021-9-30 16:47:26 | 显示全部楼层
很棒
发表于 2021-10-1 21:52:13 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2021-7-14 10:08
你好,
这个问题我有点想法,觉得距离gate越近越好。
1,天线效应中,金属收集了一定量的电荷,它是有限的 ...


很有想法
发表于 2021-10-23 21:08:38 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2023-3-17 08:55:59 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2021-7-14 10:08
你好,
这个问题我有点想法,觉得距离gate越近越好。
1,天线效应中,金属收集了一定量的电荷,它是有限的 ...


牛逼,学到了,学到了

发表于 2023-3-21 13:59:41 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2023-3-22 09:44:49 | 显示全部楼层
看了评论,有两点不敢苟同,第一点,个人认为跳线法是最优选择而不是使用diode,对于阱工艺来讲,天线diode周围如果有高电位NW是有lup风险的。第二点,跳线肯定是尽量靠近gate端跳线效果最好,而不是随便什么位置都行。
发表于 2024-1-17 16:58:12 | 显示全部楼层
感谢分享
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-27 19:46 , Processed in 0.032498 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表