[求助] 请教，霍尔器件为什么不用高阻值的多晶电阻制作呢？

liya_10

在现有集成霍尔器件的工艺中，一般都用特殊掺杂的高方阻的DFF电阻来制作霍尔盘，那么为什么不用同样高方阻的高阻值POLY电阻呢，不少工艺能够提供方阻3K以上的POLY电阻。高阻值POLY电阻方阻大，厚度小按道理很适合制作霍尔盘的。
请大家多多指教！