1安培负载电流LDO

ycjack · 发表于 2021-5-23 12:28:20

不负时光发表于 2021-5-22 16:41
这样的话，你可以用NMOS做功率管

NMOS做功率管确实优点很多，可问题是无法实现低压差。

fhyfbjl · 发表于 2021-5-23 13:06:57

你这种结构很难补偿，3个低频极点的话要产生两个零点来补偿，输出电容如果ESR比较大的话算一个，另外在内部电路再产生一个。如果你想用弥勒补偿来分裂P1、P2，把P2推到单位带宽外的话，弥勒电容值估计得很夸张。建议换一个结构。

不负时光 · 发表于 2021-5-23 17:45:01

ycjack 发表于 2021-5-23 12:28
NMOS做功率管确实优点很多，可问题是无法实现低压差。

可以选用native nmos，阈值电压为零

迅哥 · 发表于 2021-5-24 11:18:17

围观大佬们讨论，为什么nmos不能实现低压差呢

peterlin2010 · 发表于 2021-5-24 11:32:13

迅哥发表于 2021-5-24 11:18
围观大佬们讨论，为什么nmos不能实现低压差呢

nmos vgs-Vth .. NMOS 除非 BOOST

ycjack · 发表于 2021-5-24 13:23:00

fhyfbjl 发表于 2021-5-23 13:06
你这种结构很难补偿，3个低频极点的话要产生两个零点来补偿，输出电容如果ESR比较大的话算一个，另外在内部 ...

文献中好多用buffer将功率管栅极极点推远的，不加buffer的看过一个3安培的AMC补偿方法，感觉依赖于ESR电阻以及反馈电阻并联电容引入的零点，您有推荐的结构吗？

ycjack · 发表于 2021-5-24 13:27:15

不负时光发表于 2021-5-23 17:45
可以选用native nmos，阈值电压为零

工艺里没有native MOS。

143800 · 发表于 2021-5-24 13:29:00

输出端的大电容加入ESR补偿。中间的话不加buffer的话很难补偿吧。负载电流太大了。没有buffer的话功率管栅极的阻抗太大了。你看看论文中很多A级别负载的buffer，找一个加进去。

ycjack · 发表于 2021-5-24 13:41:49

143800 发表于 2021-5-24 13:29
输出端的大电容加入ESR补偿。中间的话不加buffer的话很难补偿吧。负载电流太大了。没有buffer的话功率管栅 ...

我也觉得加buffer好补偿，可是我现在的工艺里VTP都接近1V了，那VIN=2.2V时，如果PMOS buffer+PMOS功率级不太行，NMOS buffer+PMOS功率管再加上衬偏也无法关断功率管，所以我感觉不太能用buffer

迅哥 · 发表于 2021-5-24 18:03:59

peterlin2010 发表于 2021-5-24 11:32
nmos vgs-Vth .. NMOS 除非 BOOST

还是不懂，还请指点一二

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