1安培负载电流LDO

ycjack · 发表于 2021-5-21 11:07:45

基本要求：负载电流1安培。输入2.2~6V，输出可调0.8~5V。最小压差300mV。
目前的思路是误差放大器采用1.8V管，则输出摆幅最大0~1.8V，然后再转换为PMOS功率管栅极的高电压。PMOS功率管高压输入时的关断和低压输入时的满载导致EA后面无法使用射随结构。准备EA后面一级采用NMOS共源。
问题：
功率管尺寸非常大，栅端寄生电容上百pF，为了减小输出阻抗，NMOS共源的负载采用二极管连接的MOS并联电阻，满载和空载时环路增益约为58~70dB，负载调整率不满足要求。只好采用电流源负载，但是会导致较低频率的栅极寄生极点，输出端负载电容大于4.7uF，也产生一个低频极点，由于增益要求EA输出端也存在一个低频极点，目前不知道该如何下手做补偿？零点追踪补偿输出极点在1A电流范围内如何精确实现？另外两个内部极点怎么补偿呢？感觉频率补偿始终云里雾里的啊啊啊
希望有经验的大神和前辈给点提示，谢谢啦

不负时光 · 发表于 2021-5-21 11:45:27

1A，牛逼，向大佬学习

acging · 发表于 2021-5-21 13:53:28

还是上电路或者画个框图，方便讨论

ycjack · 发表于 2021-5-21 14:30:23

acging 发表于 2021-5-21 13:53
还是上电路或者画个框图，方便讨论

框图中p1,p2,p0均为低频极点，而且CL大于4.7uF，要保证稳定性是不是应该做内部补偿这样即使输出电容再大仍能保持稳定性？有什么可行的方案吗？

ycjack · 发表于 2021-5-21 14:32:23

不负时光发表于 2021-5-21 11:45
1A，牛逼，向大佬学习

大佬见笑了

haichao89 · 发表于 2021-5-21 14:53:36

1A的LDO面积得有多大呀。如果输入是6V,输出1V,LDO的功耗5W,散热怎么解决？

ycjack · 发表于 2021-5-21 15:03:21

haichao89 发表于 2021-5-21 14:53
1A的LDO面积得有多大呀。如果输入是6V,输出1V,LDO的功耗5W,散热怎么解决？

工作时输入输出最大压差不会超过0.5V的，您考虑的确实很周全

不负时光 · 发表于 2021-5-21 17:15:18

如果把EA换成cascode或者折叠架构，然后减少一级，是不是好一点？

ycjack · 发表于 2021-5-22 11:52:16

不负时光发表于 2021-5-21 17:15
如果把EA换成cascode或者折叠架构，然后减少一级，是不是好一点？

是这样的。中间加那一级共源主要是为了想转换一下功率管栅极电压范围

不负时光 · 发表于 2021-5-22 16:41:11

ycjack 发表于 2021-5-22 11:52
是这样的。中间加那一级共源主要是为了想转换一下功率管栅极电压范围

这样的话，你可以用NMOS做功率管

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