三种方式仿真输出电阻ro结果不一致

海绵

david_reg 发表于 2021-5-6 17:48
1的公式只适用于计算level1的长沟道模型在饱和区的ro；从电路图上看，mos管应该是短沟道的BSIM模型，在短沟 ...

你好，谢谢你的指点！
也就是说，在BSIM模型下，采用1公式计算plot出的ro不正确，曲线2，3正确。
以后看ro，直接用1/gds计算就可。
另外，可以得出结论：给定栅压和器件尺寸，ro是随偏置电流增大而增大（I增大，VDS增大，所以ro增大），对吗？

以上的理解正确吗？
谢谢！

xuwenwei

学习一下，ro=1/lamda ID是饱和区的公式，但是一般你不知道lamda是多少，实际仿真结果中有gds，所以一般都是ro=1/gdsro是随着电流增大而降低的，因为一般电流的变化是通过vgs来实现而不是vds来实现

海绵

xuwenwei 发表于 2021-5-7 16:03
学习一下，ro=1/lamda ID是饱和区的公式，但是一般你不知道lamda是多少，实际仿真结果中有gds，所以一般都 ...

谢谢你的回复，也就是说，我仿真得到的   ro随IDS增大而增大的原因是：我通过增大VDS而非增大VGS来调制IDS？
ro随IDS增大而增大的约定俗成条件是： 改变VGS实现IDS的改变？

举个例子：对于一个   PMOS电流源做负载的共源级，如果说NMOS输入管的VGS恒定，此时降低漏极电流源电流，底下NMOS的输出阻抗并不会增大（因为VDS在变），是这样吗？

拉扎维垫电脑

L确定并且vds不是特别大的情况下，lamada随着vds增加而减小，所以ro=1/（lamadaIDS）随着vds增加而增加。
当vds过大时，ro会下降。

xuwenwei

海绵 发表于 2021-5-7 18:10
谢谢你的回复，也就是说，我仿真得到的   ro随IDS增大而增大的原因是：我通过增大VDS而非增大VGS来调制ID ...

正常情况下，都是改变size来改变支路的电流的，因为设计的时候电流是定下来的，这个时候想增加ro就降低支路电流，降低ro就增加电流，当然这里只是简单的用电流去改变输出点的ro，也可以通过其他方法来改变ro的。
你说的-------举个例子：对于一个   PMOS电流源做负载的共源级，如果说NMOS输入管的VGS恒定，此时降低漏极电流源电流，底下NMOS的输出阻抗并不会增大（因为VDS在变），是这样吗？
你说的这种情况实际应用的时候不太会出现，因为当你的pmos电流源的电流变化的时候，你的nmos的vgs自然会变化，如果你卡死了nmos的vgs，那么只能通过改变vds，这个时候可能某一个mos管就不工作在饱和区了，会进入线性区。你大概算一下就知道了，饱和区时候vds对Id的影响很小，如果你电流变化稍微大一点点，vds就会降低很多，很容易进入线性区。

至于你说的如果降低pmos电流，输出阻抗变化应该要看的吧，因为此时nmos的vds必然会降低，如果降低到一定地步就会进入线性区，ro就不能用1/lamda ID的公式了。线性区的ro就很小了。 如果vds降低的时候还处于饱和区，那么就看Id和lamda的变化影响了。你可以仿真看看结果，共同分享一下。哈

hwczj

如果只是想看一个管子的ro的话，可以直接在print里查这个管子的DC operating point，里面应该会有这一项的，不过名字不一定叫ro

Valv3

可能还需要考虑电流增大到一定程度velocity saturation对沟道电阻的影响，我记得会大大减小lambda

风吹落叶

学习学习

villain24

lamda并不是常数，随VDS增大而减小

villain24

acging 发表于 2021-5-6 17:53
lamda不是一个常数，与vds是有关的。
我找了另一本教科书上的公式，与razavi有所不同，供参考。

请问是哪一本书呢