三种方式仿真输出电阻ro结果不一致

acging · 发表于 2021-10-27 17:19:37

villain24 发表于 2021-10-27 16:20
请问是哪一本书呢

AnalogIntegratedCircuitDesign by Tony Chan Carusone

villain24 · 发表于 2021-10-27 20:40:35

acging 发表于 2021-10-27 17:19
AnalogIntegratedCircuitDesign by Tony Chan Carusone

topf002 · 发表于 2022-1-7 14:15:11

请问下仿真的时候是怎么设置的，我也是这么搭，在DC里面给的0到1.8，但是报错我的vds没有给值

lxy-hust · 发表于 2022-3-10 11:16:39

从头到尾看下来，楼主的回复逻辑很清晰，点个赞

790814313 · 发表于 2022-3-19 23:53:43

海绵发表于 2021-5-6 16:38
你好！谢谢你的回复。
我清楚一般讨论ro是基于饱和区的，此处从线性扫是因为想明确区分线性区和饱和区。

书上1/lamID也是近似得到的近似的上一步有VDS这一项的影响。VDS越大，电流受到的影响越大

研究生笑笑 · 发表于 2022-5-13 15:25:05

总结一下：
1. 三条曲线，2,3是相同的，对的，1是不对的，没有考虑Vds对λ的影响，随着Vds的增加Id缓慢增加， 1/Id肯定是下降的。但Vds增加可以减小λ，所以ro=1/(λ*Id)依旧应该增大。
2. 1的公式只针对饱和区，2,3公式即针对线性区又针对饱和区。虽然线性区的ro意义不大。
3. 如果只考虑电流Id，没有Vds对λ的影响，则在饱和区，如果Id增大，此时ro应该下降。

NakajimaYuto · 发表于 2022-11-3 14:54:27

学习了！！！！！

梦飘远方 · 发表于 2024-6-28 11:53:31

学到了

Riching · 发表于 2024-12-5 16:49:25

请问有仿真过PMOS吗，我发现用方法2求出的gds和DC工作点的gds差很多，试了两种工艺都是这样,还不知道为什么

[求助] 三种方式仿真输出电阻ro结果不一致

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