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楼主: baozidepipi

[讨论] ESD中SCR器件的电路和版图讨论

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发表于 2023-3-24 00:42:15 | 显示全部楼层
kkkkkk
发表于 2023-3-24 01:05:57 | 显示全部楼层
kkkkkkk
发表于 2023-4-6 11:40:21 | 显示全部楼层


baozidepipi 发表于 2021-2-19 10:44
个人觉得文档中的这几张图很有研究价值


您好,想问一下,mos管衬底接电阻电位上是什么意思???
发表于 2023-4-24 14:44:13 | 显示全部楼层


mars0904 发表于 2021-5-13 09:53
除非有testchip去流片验证,否则不知道SCR的TLP参数。而且SCR跟工艺相关性太大,换一个工艺又需要重新流片 ...


你说的对,确实跟工艺关系很大,不是所有的都应用SCR,特殊情况才需要。一般design rule 里面也没有定义,都是由工艺厂直接提供验证的gds过来,也不敢乱改,怕改了有问题。
发表于 2023-4-25 09:36:23 | 显示全部楼层
低压SCR其实不难,也不挑工艺。关键是你得会触发电路和提高Vh的方法。这两个会的话,基本所有的CMOS工艺通用。
我见过几个别家公司专利的结构,也自己画了对应testkey在七八个工艺上去验证过,TLP参数都非常漂亮。触发电压从2V到11V可调,而且弱snapback。

难得其实是高压的SCR结构,特别是触发快,Vh高的SCR。 比如40V的保护,你要做到50V触发,Vh>44V,那确实很难。
发表于 2023-5-4 20:41:57 | 显示全部楼层
如何提高SCR的hold电压?有什么好的方法帮忙分享一下,谢谢!
发表于 2023-6-13 10:41:59 | 显示全部楼层


fei_SH 发表于 2023-4-25 09:36
低压SCR其实不难,也不挑工艺。关键是你得会触发电路和提高Vh的方法。这两个会的话,基本所有的CMOS工艺通 ...


低压SCR,有啥对应资料指指路吗~
发表于 2023-6-22 15:29:55 | 显示全部楼层
感谢分享
发表于 2023-8-7 09:00:46 | 显示全部楼层
谢谢分享~
发表于 2023-12-13 09:40:57 | 显示全部楼层
感谢分享
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