画偏置版图时，NO R/C的后仿与前仿差了30mV，请问如何解决？

326098324

hitzhabc 发表于 2021-1-26 10:14
没办法解决。主要是注意是否是衬底偏置效应导致的问题。这个抽取方法会导致cgs和cgd被重复计算，对于交流 ...

好的 感谢老哥的回答

326098324

ZMOS 发表于 2021-1-26 10:05
你这是多少nm的制程，有没有注意LOD WPE等二级效应？这些效应对器件的Vth和Idsat是有很大影响的 ...

几个月后来回答 确实应该是WPE等效应的影响 当初是第一次画28nm的版图 版图以及dummy管的布局不合理导致管子阈值电压差的比较大

MrHlayout

326098324 发表于 2021-1-26 10:08
28nm的 管子的Vth确实会有点变化 请问如何尽量减少这些效应呢？

加dum，减下LOD跟STI效应的最佳办法，加到3um-5um，看面积要求了

krr

hitzhabc 发表于 2021-1-26 09:59
多数情况下，你电路中的管子的finger到calibre抽参数之后，变成了M，可能是这个原因导致的前后仿差异比较大 ...

前辈你这里说的pex后，finger变成了m，请问下这个是在哪个文件里看呀？；我检查了我的版图里的finger和m，都是与schmatic一 一对应的，抽取了PEX后，后仿真的netlist里显示，schmatic里的finger=4，m=30被拆成了单独的一个一个管子(总共120个管子)；我现在二级效应对我噪声有点恶化

hitzhabc

krr 发表于 2023-7-3 11:04
前辈你这里说的pex后，finger变成了m，请问下这个是在哪个文件里看呀？；我检查了我的版图里的finger和m ...

这个就是这样，目前我也不知道咋解决。

mustard

hitzhabc 发表于 2023-7-3 11:20
这个就是这样，目前我也不知道咋解决。

弱弱问一句，不知道现在对这个问题有没有解决办法呀？版图画完f改成m之后，复制的电流会减小，所以通过增大电流解决吗？