画偏置版图时，NO R/C的后仿与前仿差了30mV，请问如何解决？

326098324 · 发表于 2021-1-26 08:57:55

画偏置电路版图时，用NO R/C寄生参数提取的后仿与前仿差了30mV，请问原因及如何解决？求各位大佬救救小弟吧

ZMOS · 发表于 2021-1-26 08:57:56

你这是多少nm的制程，有没有注意LOD WPE等二级效应？这些效应对器件的Vth和Idsat是有很大影响的

ZMOS · 发表于 2021-1-26 08:59:44

看看你的版图先

326098324 · 发表于 2021-1-26 09:22:07

ZMOS 发表于 2021-1-26 08:59
看看你的版图先

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fengtang2332 · 发表于 2021-1-26 09:57:39

偏置电路的版图，finger 和 m 一定要和电路对应，不能互换，否则 s/d 的寄生不一样。

hitzhabc · 发表于 2021-1-26 09:59:11

多数情况下，你电路中的管子的finger到calibre抽参数之后，变成了M，可能是这个原因导致的前后仿差异比较大。

326098324 · 发表于 2021-1-26 10:07:32

hitzhabc 发表于 2021-1-26 09:59
多数情况下，你电路中的管子的finger到calibre抽参数之后，变成了M，可能是这个原因导致的前后仿差异比较大 ...

老哥我看了calibre后确实是把finger提成了multiplier 请问有什么办法解决吗

326098324 · 发表于 2021-1-26 10:08:37

ZMOS 发表于 2021-1-26 10:05
你这是多少nm的制程，有没有注意LOD WPE等二级效应？这些效应对器件的Vth和Idsat是有很大影响的 ...

28nm的

管子的Vth确实会有点变化请问如何尽量减少这些效应呢？

hitzhabc · 发表于 2021-1-26 10:14:59

326098324 发表于 2021-1-26 10:07
老哥我看了calibre后确实是把finger提成了multiplier 请问有什么办法解决吗

...

没办法解决。主要是注意是否是衬底偏置效应导致的问题。这个抽取方法会导致cgs和cgd被重复计算，对于交流仿真影响比较大。

326098324 · 发表于 2021-1-26 16:09:24

自己顶一下

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