ANTENNA RADIO

于浩杰

为什么解atn时候 有一种方法是增加金属线来解  这不是与atn相悖论了吗

yanpflove

准确地说，是向上跳线，上层金属做出来之前，下层金属是断的，所以断了的下层金属就比较短了，就满足规则减小危险了。

ZMOS

yanpflove 发表于 2020-12-9 23:34
准确地说，是向上跳线，上层金属做出来之前，下层金属是断的，所以断了的下层金属就比较短了，就满足规则减 ...

颜sir，中间层发生ant问题，向下跳和向上跳区别大不大？

litong717

ZMOS 发表于 2020-12-10 13:39
颜sir，中间层发生ant问题，向下跳和向上跳区别大不大？

不能向下跳线。向下跳等于没跳。

yanpflove

ZMOS 发表于 2020-12-10 13:39
颜sir，中间层发生ant问题，向下跳和向上跳区别大不大？

Dear ZMOS:

  如4楼litong717同学所言：

不能向下跳线。向下跳等于没跳。

  向下跳线，该层分离的导体仍然通过下层跳线相连，收集的电荷仍然能汇集起来，对下方薄弱点造成伤害，向下跳线是无用的。
  天线效应（Antenna）的具体原理呢，《模拟电路版图的艺术》P119，4.1.4天线效应一节中有完整分析，总结如下：

• 导体刻蚀和去胶过程会在晶片表面产生电荷。
• 暴露的导体能收集电荷，导体表面积越大或者侧面积越大，收集的电荷越多，对与导体相连的栅极和有源区可能造成的伤害就越大，对应的就是天线效应设计规则中的面天线比规则和周长天线比规则。
• 面天线比规则和周长天线比对应着两种Antenna产生机制：
  （1）导体层刻蚀：以多晶硅举例，整个晶圆淀积多晶硅，（……涂布光刻胶，对准掩模版，……，曝光显影，……），刻蚀多晶硅，原本一整块多晶硅逐渐出现开口，单个多晶结构彼此分离，吸收电荷，向下注入薄栅氧化层；此过程的多晶硅上方有光刻胶，不接触等离子体，侧面暴露于等离子体中，因此周长越大，有源栅面积越小，风险越大；通过周长天线比衡量。
  （2）导体层去胶：以多晶硅举例，多晶硅都刻蚀完成后，多晶硅上面还存在光刻胶，去胶时多晶硅表面暴露于等离子体中，面积越大，收集的电荷越多，有源栅区面积越小，风险越大；通过面天线比衡量。
• 导体层包含多晶硅和金属，因此它们每层都有对应的Antenna规则，且都包含最大周长天线比和最大面天线比。
• 为什么对于上层的导体，也要计算周长天线比和面天线比呢？他们并不和多晶硅栅，并不和有源区直接相连呀？
  （1）多晶硅，金属1，金属2…… 一层一层往上制作，不断光刻刻蚀，暴露于等离子体中；
  （2）以金属2举例，当刻蚀金属2时，金属2分离，但是有许多金属2还通过金属1、多晶硅连接在一起呢，多个金属2收集的电荷汇在了一起，小溪聚成大江，泛滥成灾，通过金属1和多晶硅，注入到了多晶有源硅栅或者有源区，引发灾害。
  （3）所以，金属2的周长天线比和面天线比的计算方式和多晶硅就有些不一样了，它需要把通过下层导体有电气连接的所有金属2合起来计算。
• 防护措施，有两个方向，一个是减少导体收集的电荷（植树造林，减少下雨时上游留下来的水量），另一个是将电荷引向别处，使其不伤害薄弱点（泄洪区）：
  （1）减少导体收集的电荷：减小导体宽度，减小导体长度，通过向上跳线，减小连接到薄弱点（多晶硅栅和有源区）的收集电荷的导体长度；
        不能，不能向下跳线，向下跳线时，该层分离的导体仍然通过下层跳线相连，收集的电荷仍然能汇集起来，对下方薄弱点造成伤害，向下跳线是无用的。
  （2）将电荷引向别处：使用泄露器（leaker），常用的是二极管，常见的数字标准单元库中会包含这种单元。