全差分放大器版图后仿真结果与前仿差距很大

helimpopo

cherry_li 发表于 2024-3-4 10:18
一般PDK device 对应的Porperties 里面有对应的LOD/PSE/WPE等参数框可编辑的

设置了的，calculate from schematic。我也是设计了一个套筒式全差分运放，前后仿真结果还是相差很大。
运放主要用于几十KHz，我抽了R+C+CC。

前仿真

后仿真

cherry_li

helimpopo 发表于 2024-3-4 20:49
设置了的，calculate from schematic。我也是设计了一个套筒式全差分运放，前后仿真结果还是相差很大。
运 ...

后仿可以直接抽取NORC的只带二阶参数和寄生dio的网表，先排查是否是二阶参数引起的。如果是，你可以看看你关键device前仿设置的各项参数与你后仿抽取出来的对应的二阶参数差异是否太大。如果NORC后仿是OK的，那再单独抽取C，RC这样去排查是寄生电容还是寄生电阻引起的，再对应优化layout或者电路。

helimpopo

cherry_li 发表于 2024-3-5 09:01
后仿可以直接抽取NORC的只带二阶参数和寄生dio的网表，先排查是否是二阶参数引起的。如果是，你可以看看 ...

NO RC结果是对的，那就是说，多增加一些走线，减小寄生电阻，电容，结果会变好？

cherry_li

helimpopo 发表于 2024-3-5 09:15
NO RC结果是对的

那就不是二阶参数的问题了，具体分析C、RC吧

helimpopo

cherry_li 发表于 2024-3-5 09:18
那就不是二阶参数的问题了，具体分析C、RC吧

C+CC结果还行，有R就不对，是不是需要增加走线宽度？

C+CC

cherry_li

helimpopo 发表于 2024-3-5 10:38
C+CC结果还行，有R就不对，是不是需要增加走线宽度？

看定位到是哪个信号的R产生的影响再对应优化吧！电源、地都确认连接是低阻的吧。

Lin26

如果是差分对管要注意layout中的位置，尽量放到well中间两边加dummy，避免wpe效应。
不清楚你的cmfb是什么结构，如果提取r有问题，可以计算下两边差分支路的金属电阻阻值是否匹配。

onflow

cherry_li 发表于 2020-11-17 11:52
180nm工艺就不用考虑二阶效应了，WPE这些都不用管了。全差分的设计就是需要整个差分通路都要匹配的，除了器 ...

我用的也是180nm做的全差分，但是noRC提出来的参数用来后仿增益掉了大几十db，直流仿真两个输出端偏离前仿的输出共模点比较大，这种情况是版图的匹配性问题吗，是不是需要侧重输入对管的匹配和导线的匹配呢？还是说有什么其他需要关注的地方呢，请教一下大佬

cherry_li

onflow 发表于 2024-5-4 17:52
我用的也是180nm做的全差分，但是noRC提出来的参数用来后仿增益掉了大几十db，直流仿真两个输出端偏离前 ...

你可以仔细对比一下你的后仿NORC 网表和前仿网表参数，看看是哪几个管子的参数引起的

VCMOS

请问最后怎么解决的啊？